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东芝现代达成NAND闪存芯片技术授权协议

作者:  时间:2007-03-22 09:08  来源:路透社

日前,日本东芝和韩国现代半导体表示,双方已经就NAND闪存芯片的技术专利权纠纷达成协议。

  据路透社报道,双方共同表示,未来现代还将为东芝提供NAND闪存芯片,用户数码相机和移动音乐播放器等。另一方面,现代还会继续为东芝提供DRAM内存,后者东芝自己并没有生产能力。

  2004年11月份的时候,作为世界第二大NAND闪存芯片制造商,东芝对现代提出起诉,称双方在交叉授权协议方面出现了纠纷。这也拉开了东芝和现代之间长达数年之久的技术纠纷。“技术纠纷的结束对于现代来说更为有利,因为他排除了大量双方被迫分手之后可能带来的恶果。”CJ投资和证券公司分析师表示。

  去年12月的时候,美国国际贸易委员会驳回了东芝的申请,即要求美国停止进口现代闪存芯片。有趣的是,同年11月份,美国贸易委员会同样驳回了现代要求停止东芝进口的要求。

  目前双方均为对交叉授权协议的具体技术细节作出评论,甚至并未透露协议的时间为多长。上一次双方的交叉授权协议启动于1996年,停止于2002年。

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