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飞兆推出面向PFC和主开关应用的完整功率器件

作者:  时间:2007-04-19 08:30  来源:www.edires.net

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新Stealth™ II 和 Hyperfast II二极管技术,作为其专为LCD TV开关电源 (SMPS) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的FFP08S60S 和 FFPF08S60S Stealth II二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25nS @ 600V击穿电压)。这些特性非常适合于在CCM (连续电流模式) 功率因数校正 (PFC) 设计中改善EMI 和 MOSFET开关损耗。同时推出的还有FFPF08H60S Hyperfast II二极管,具有很快的反向恢复时间 (trr < 35nS @ 600V击穿电压) 和很低的前向电压降(Vf < 2.1V),有助于在DCM (不连续电流模式) PFC设计中减小传导损耗及提高能效。新Stealth II 和 Hyperfast II技术的开发是要与飞兆半导体现有的UniFET™ 及 SuperFET™ MOSFET技术系列相结合,并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案,可以提高LCD TV电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低EMI。


Stealth™ II / Hyperfast II + UniFET™ 的组合优化PFC设计

LCD TV的SMPS一般工作在两类PFC电流模式下:CCM 和 DCM。为了优化CCM设计,飞兆半导体的新型FFP/PF08S60S Stealth II快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的UniFET MOSFET同用。例如,19A 500V FDA18N50 UniFET采用专有的平面条形DMOS技术获得很低的导通阻抗RDS(on) (0.265 Ohm @ VGS = 10V) 和很高的承受UIS (非钳位感应开关) 的能力。UniFET器件与新型的Stealth II二极管相结合,其开关损耗比较前一代产品可降低10%,从而实现出色的系统效率。同样地,飞兆半导体新推出的FFPF08H60S Hyperfast II二极管也可与相同的UniFET器件共同使用,在DCM PFC工作模式下提高效率和雪崩保护能力。(参见下表中全部的UniFET产品组合。)

SuperFET™ FRFET® 用于高效、可靠的主开关设计

现在的LCD TV SMPS必须在开关模式工作中降低功耗,并同时保持系统性能和可靠性。飞兆半导体现有的SuperFET快速恢复MOSFET (FRFET) 产品便经过优化以满足这种设计要求。结合SuperFET技术和控制少子寿命的工艺,SuperFET FRFET能够提高体二极管的性能、对关断电压变化dv/dt的抗扰性,以及降低其EMI。举例说,最新一代FCPF11N60F器件具有trr = 120ns & Qrr= 0.8µC 以及高达50V/ns dv/dt的能力。这些先进的MOSFET甚至在最先进的LLC半桥转换器中也能够提高效率和可靠性。(参见下表中全部的SuperFET FRFET产品组合。)

飞兆半导体功能功率解决方案副总裁Taehoon Kim 称:“作为功率专家,飞兆半导体可提供完整的功率器件解决方案,以实现高可靠性、高能效和低噪声的LCD TV电源设计。为了实现这些系统优势,我们量身定做出全新的Stealth II 和 Hyperfast II二极管,并与现有的技术相结合,藉此彰显出飞兆半导体利用已获公认的产品和设计专业技术,来协助工程师面对和解决不断增加的设计挑战。”


全新Stealth II和Hyperfast II产品采用采用无铅封装,能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。

供货:现货
交货期: 收到订单后12周内

查询更多信息或价格详情,请联络飞兆半导体香港办事处,电话:852-2722-8338;深圳办事处,电话:0755-8246-3088;上海办事处,电话:021-5298-6262;北京办事处,电话:010-8519-2060 或访问公司网站:www.fairchildsemi.com

要了解相关产品的更多信息,请访问网页:
FFPF08S60S: http://www.fairchildsemi.com/ds/FF/FFPF08S60S.pdf
FFP08S60S: http://www.fairchildsemi.com/ds/FF/FFP08S60S.pdf
FFPF08H60S: http://www.fairchildsemi.com/ds/FF/FFPF08H60S.pdf

UniFET产品系列:

部件号码

封装

BVDSS Min. (V)

配置

RDS(ON) Max. (Ohms) @ VGS =10V

Qg Typ. (nC) @ VGS =10V

ID (A)

PD (W)

FDP16N50

TO-220

500

单一

0.39

32

16

200

FDP18N50

TO-220

500

单一

0.265

45

8

235

FDP20N50

TO-220

500

单一

0.23

45.6

20

250

FDPF16N50

TO-220F

500

单一

0.38

32

16

52

FDPF16N50T

TO-220F

500

单一

0.38

32

16

52

FDPF18N50

TO-220F

500

单一

0.265

45

8

58

FDPF18N50T

TO-220F

500

单一

0.265

45

8

58

FDPF20N50

TO-220F

500

单一

0.23

45.6

20

62

FDPF20N50T

TO-220F

500

单一

0.23

45.6

20

62

FDA16N50

TO-3P/TO-3PN

500

单一

0.38

32

16.5

205

FDA18N50

TO-3PN

500

单一

0.265

45

19

239

FDA20N50

TO-3P/TO-3PN

500

单一

0.23

45.6

22

280


SuperFET FRFET产品系列:

部件号码

封装

BVDSS Min. (V)

配置

RDS(ON) Max. (Ohms) @ VGS =10V

Qg Typ. (nC) @ VGS =10V

ID (A)

PD (W)

FCP11N60F

TO-220

600

单一

0.38

45.6

11

125

FCPF11N60F

TO-220F

600

单一

0.38

45

11

36

FCB11N60F

TO-263 (D2PAK)

600

单一

0.38

45.6

11

125

FCB20N60F

TO-263 (D2PAK)

600

单一

0.19

32

20

208

FCA20N60F

TO-3PN

600

单一

0.19

45.6

20

208

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