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瑞萨科技宣布开发出一种可在32 nm(纳米)及以上工艺有效实现SRAM的技术,以用于集成在微处理器或SoC(系统级芯片)中的片上SRAM。
新开发的技术采用SOI(绝缘硅)技术*1,可独立控制基体电位,也就是构成SRAM的晶体管的三种衬底部分,从而显著扩展SRAM的运行容限。
对采用这一技术的65 nm CMOS工艺的2 Mb SRAM实验制造和评估证实,与没有使用该技术的器件相比,工作下限电压可提高大约100 mV。此外,读取容限(静态噪声容限:SNM*2)——SRAM运行容限指标——可改善大约16%,写入容限的改善大约为20%,同时晶体管的电气特性变化可有大约19%的下降。
SNM可随工艺的优化而下降。不过,在32 nm和22 nm工艺仿真方面,已证实与没有采用这一技术的器件相比,32 nm SNM大约改善了27%,22 nm大约为49%,这相当于实现了等于65 nm工艺水平的SNM。因此可以说,这一技术履行了实现32 nm及以上工艺SRAM的承诺。