嵌入式半导体设计和制造领域的Freescale半导体成功推出3伏4Mbit扩展温度范围（-40至+105`C）非易失性RAM （nvRAM） 产品，从而扩展了公司获奖的磁电阻式随机存储器 （MRAM）系列产品。该设备可用于恶劣的应用环境，如工业、军事、航空和汽车设计等。
Freescale还通过推出一种1Mbit器件扩展了它的商用MRAM 产品系列。该器件可为系统设计师提供一种密度选择，并专注于主流嵌入式产品市场上的“sweet spot”。此外，Freescale还计划进一步扩展其MRAM产品系列，在2007年第三季度增加总共九种商用和工业用扩展温度产品。
MRAM采用磁性材料和传统的硅电路来在单个寿命几乎没有限制的器件中提供SRAM的高速度和闪存的非易失性 。MRAM设备可以用于高速缓存缓冲器、配置存储内存和其他要求高速度、耐用性和非易失性的商业应用。飞思卡尔的最新扩展温度范围选项使MRAM可用于工业和汽车应用。在这类应用中，半导体产品必须能够忍受恶劣的工作环境和极端温度范围。
MRAM在高密度 nvRAM市场上提供业界领先的高性价比产品。飞思卡尔的MRAM设备结合了非易失性存储和RAM的优点，可以在新型智能电子设备中实现“随开即用（instant-on）”功能和电源损耗防护。此外，MRAM设备可以在广泛的温度范围以SRAM速度运行而不需要电池备份 。
2006年宣布推出的飞思卡尔MR2A16A 4Mbit 产品是全球第一款商用MRAM设备，曾获得Electronic Products杂志颁发的2006年度最佳产品奖、电子工程专辑的2007年度最佳存储产品奖、LSI of the Year的年度杰出产品奖和InStat/Microprocessor Report 的2007年度创新产品奖。此外，飞思卡尔的MRAM设备还入围EDN的“2006年度创新奖”和EE Times的“2006年度ACE奖”决赛。
关于1Mb MR0A16A
MR0A16A是一种1Mbit的商用温度范围（0 – 70oC）3.3伏异步存储器，可存储64K个单词（16位），读写周期为35 纳秒。该设备的行业标准SRAM针脚允许在相同的空间内将内存从1Mb扩展到4Mb。该设备采用符合RoHS 要求的400-mil TSOP II型封装，适合各种商业应用，如联网、安全、数据存储、游戏和打印机。
关于4Mb MR2A16AV
MR2A16AV是一种4Mbit扩展温度范围（-40 – 105oC）3.3伏异步存储器，可存储256K个单词（16位），读写周期为35 纳秒。它的行业标准SRAM针脚使它可以兼容SRAM 和其他 nvRAM产品。该设备采用符合RoHS要求的400-mil TSOP II型封装中，为工业自动化、运输、军事和航空应用中的严苛环境提供了一种强大的NVM解决方案。