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NVE对Everspin提自旋电子MRAM专利侵权诉讼
专门授权自旋电子(spintronics)磁阻随机存取内存(MRAM)技术的自旋电子组件开发商NVR公司表示,该公司已于美国联邦法院对 MRAM 供货商Ev...
NVE
内存
MRAM
2012-01-10
Hynix东芝宣布将联合开发STT-MRAM技术
韩国Hynix与日本东芝公司近日宣布两家公司将共同开发STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM...
Hynix
STT-MRAM
2011-07-15
Everspin科技推出更高容量16Mb MRAM产品
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM, 进一步强化了该公...
Everspin
MRAM
存储器
2010-05-14
亚微纳技术公司介绍Stration™ fxP
亚微纳技术公司(纳斯达克股票代码: AVZA),是一家全球半导体业及相关市场的先端半导体主要设备和工艺技术的供应商,今天公开发布StratIon™ ...
SRAM
MRAM
DRAM
2008-11-26
飞思卡尔成立独立公司助推MRAM业务--吸引风险投资家向EverSpin Technologies进行投资
2008年6月9日,德州奥斯汀 – 飞思卡尔半导体今日宣布,它与几大风险投资公司合作,成立一家主营MRAM(磁阻随机存取存储器)业务的独立公司。新公...
MRAM
随机存取存储
嵌入式
飞思卡尔
2008-06-16
Freescale扩展MRAM的产品系列
嵌入式半导体设计和制造领域的Freescale半导体成功推出3伏4Mbit扩展温度范围(-40至+105`C)非易失性RAM (nvRAM) 产品,从而扩展...
Freescale
MRAM
高速缓存
2007-06-21
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