日前，德州仪器 (TI) 宣布推出首款支持简单动态电压缩放的双电平 200mA 低压降 (LDO) 线性稳压器，该产品采用了微小型五球栅芯片级封装。该器件具备很高的灵活性，对那些需要双级输出稳压、通过更大存储器支持 eFUSE 或 SIM 卡编程的应用而言非常适用，能满足无线手持终端、PDA、智能电话、MP3 播放器以及其它手持式设备的需求。
TI 新型 TPS728185315 LDO 支持 230 mV 超低压降，其输入电压范围为 2.7 V 至 6.5 V，固定输出电压范围在 0.9 V 至 3.6 V 之间。LDO 的 EEPROM 预设电压选项为 1.85 V 与 3.15 V。LDO 可帮助设计人员设置 eFUSE 与 SIM 卡的可切换电压，比方说可就熔丝编程或SIM卡检测提供较高电压，也可在编程结束时提供较低电压。设计人员可在一定时间内在两种电压之间进行切换，不会出现过冲与下冲问题。动态电压缩放还有助于降低漏电流，确保广泛应用于便携式应用中的集成百万晶体管的亚微米处理器(如 TI 超低功耗 MSP430 微控制器)都能高效工作。
集成式高精度带隙与误差放大器在不同负载、线路与温度极限条件下的整体误差不超过 2.5%。TPS728185315 在高达 1 MHz 宽频率范围内不仅实现了高电源纹波抑制比 (PSRR) 与 160 µs 启动时间，而且线路与负载瞬态响应相当出色。该器件可全面设置于 -40º C 至 125º C 的工作温度范围内。
TPS728185315 的关键特性：
• 双通道 200mA LDO 稳压器;
• 提供从 0.9 V 至 3.6 V 的多种固定输出电压组合，采用出厂 EEPROM 编程;
• VSET 引脚能在两种预设电平间切换输出电压;
o 预设输出电压电平可通过 EEPROM 编程为任意组合;
• 高 PSRR：1 kHz 时为 65 dB;
• 不同负载、线路与温度条件下的误差不超过 2.5%;
• 与 1.0μF 陶瓷电容器保持稳定工作状态;
• 热关断与过流保护;
• 低 IQ：有源模式下为 50 μA;
• 低压降：200 mA 下为 230 mV。
TPS728185315 LDO 现已开始批量供货，可通过 TI 及其授权分销商进行定购。该器件采用 1 毫米 x 1.4 毫米 x 0.6 毫米 5 球栅 WCSP 与 6 引脚 2 毫米 x 2 毫米 SON 两种封装版本。