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美国国家半导体推出两款低功率LVDS 2x2 交叉点开关电路

作者:  时间:2007-11-20 17:05  来源:
美国国家半导体推出两款低功率LVDS 2x2 交叉点开关电路,设有业内领先的均衡及预加重功能,可确保信号完整无缺

这两款全新的交叉点开关电路来自美国国家半导体PowerWise高能效芯片系列,其特点是每通道的功耗不超过125mW,数据传送速度高达3.125Gbps时抖动只有6ps


二零零七年十一月二十日 -- 中国讯 -- 美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)(美国纽约证券交易所上市代号:NSM)宣布该公司的PowerWise? 高能效芯片系列添加两款低功率低电压差分信号传输(LVDS)2x2交叉点开关电路。型号为DS25CP102的交叉点开关电路通道的功耗只有125mW,以高达3.125Gbps的速度传送数据时,抖动只有6ps(典型值),创下业界最低的水平。这款芯片设有传送预加重及接收均衡这两个功能选项,确保电缆及FR-4 底板内的信号可以传送到更远的范围。型号为DS10CP152的另一款交叉点开关电路的速度则较低(1.5Gbps),尤其适用于无需进行信号调整的短距离传输系统。这款芯片具有抖动极低(典型值为9ps)的优点,而且每通道的功耗只有57mW。

DS25CP102及DS10CP152芯片可以作为分路器或合路器使用,为OC-48 电信设备以及采用标准清晰、高清晰和3Gbps串行数字接口(SDI)的专业级视频系统提供高速信号路径选择及切换的功能。视频及影像传送系统也可利用这两款芯片将两条数据流分隔以供选用,或执行分离器功能,以驱动两个监视器。由于这两款芯片在抖动及信号调整方面都有卓越的表现,因此OEM厂商只要采用这两款芯片,便可选用成本较低的电缆、连接器及相关元件作为搭配。美国国家半导体这两款2x2交叉点开关电路采用该公司专有的硅锗(SiGe)BiCMOS-8 工艺技术制造,因此可以大幅提升高速接口电路的性能/功率比。

美国国家半导体的2x2交叉点开关电路设有可通过引脚选用的信号调整功能,其优点是可以减低信号抖动,而且无需加设中继器也可将信号传送到更远的范围。这两款开关电路的共模输入电压范围极为广阔,即使没有加设耦合电容器,也可支持LVPECL、CML及LVDS等信号。DS25CP102及DS10CP152两款芯片可以直接接收来自90nm FPGA 及 65nm ASIC 的信号。此外,这两款芯片还设有8kV的静电释放保护功能,LVDS 的输入及输出引脚都加设了100 Ohm 的内部终端电阻,有助于减少插接损耗和元件数目,以及缩小电路板面积。

美国国家半导体的交叉点开关电路系列不断有新型号面世,上述两款芯片是最新推出的两个型号,而DS25CP104及DS10CP154则是另外两款最近推出的LVDS 4x4 交叉点开关电路。

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