用于GPS的高增益低噪声的两级放大器GaAs MMIC NJG1130KA1开始样品供货

新日本无线完成开发最适用于配备GPS（Global Positioning System　全球定位系统）功能的便携式终端的高增益低噪声放大器（High gain / Low Noise Amplifier） GaAs MMIC--NJG1130KA1，并开始样品供货。
近年来，GPS功能已逐渐成为手机及PDA(Personal Digital Assistant 个人手持数字设备）等便携式终端的标准配置。 上述产品所配备的低噪声放大器（Low Noise Amplifier）必须具备低消耗电流、高增益以及体积小巧等特点。NJG1130KA1是适用于GPS的高增益低噪声放大器GaAs MMIC，可满足上述市场要求。

NJG1130KA1采用了两级放大结构，从而单体的增益可达到29.0dB(typ.)并缩小了产品体积。此外，还采用配备了ESD保护元件的P-HEMT（Pseudomorphic hign electron mobility transistor）工艺，缩小内部元件之间的间隔，实现了芯片的小型化。小型封装FLP-A1（1.6x1.6x0.55mm）有助于缩小电路板的体积。
此外，本产品采用P-HEMT工艺，实现了低消耗电流（5.0mA）和低噪声（0.65dB）。

开发产品一览

产品名称 NJG1130KA1 
功能 用于GPS的高增益低噪声双步增幅器GaAs MMIC
应用 手机、PND（Personal Navigation Device 个人导航系统）及带GPS功能的便携式的汽车导航系统
外观 FLP－A1
   
产品主要功能及特点
工作电压　　　　　     +2.85V （typ.）
低消耗电流　　　　　   5.0mA （typ.）　
高增益　　　 　　　    29.0dB（typ.）　@f = 1.575GHz
低噪声　　　　　　　   0.65dB（typ.）　@f = 1.575GHz
高输出P-1dB 　　　     +11.0dBm（typ.）　@f = 1.575GHz
高输出IP3　   　　　 　+14.0dBm（typ.）　@f = 1.575GHz+1.5751GHz, Pin=-35dBm
内置ESD保护元件
小型封装　     　FLP-A1：1.6x1.6x0.55mm
生产计划/样品价格
本公司将计划于2007年7月开始NJG1130KA1的样品供货，8月底正式投入生产，生产规模为月产量50万只。样品价格约为70日元。