ST的IGBT新品大幅提升开关性能

功率半导体业的世界领先企业意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH™），用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。

开关性能的改进容许设计工程师把IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低，使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工作，带来降低功耗、提高可靠性、缩小电路板空间等优点。

在芯片的单位面积性能方面，ST的新IGBT技术远远胜于传统的MOSFET晶体管，有助于实现成本更加低廉的解决方案。新产品还有一个优点：封装内含有一个超快速软恢复二极管，保证新产品具有其它功率器件无法实现的高dV/dt抗扰性。新系列超高速IGBT的目标应用包括70W-150W高频镇流器以及开关电源、功率因数控制器和其它的高频功率开关设备。