>
首页 » 业界动态 » 亿能推出DDR3 SO-DIMMs高性能内存

亿能推出DDR3 SO-DIMMs高性能内存

作者:  时间:2008-07-22 22:58  来源:

全球内存领导供货商奇梦达公司(NYSE: QI)旗下的渠道和零售内存品牌亿能(Aeneon)推出了新一代的内存产品DDR3 SO-DIMMs(小型双重内嵌式内存模块)。该产品为业界首批基于英特尔迅驰2代处理器技术的DDR3笔记本电脑提供省电和高性能支撑。

作为首批零售内存品牌之一的亿能内存,将向市场提供容量为1GB和2GB 的 DDR3-1066 SO-DIMMs。这些模块采用低耗电的1Gbit DDR3 组件,在1.5 伏标准DDR3电压下提供7-7-7-21的时延, 非常适合于移动计算。DDR3 SO-DIMMs将于2008年8月以单一零售包的形式在全世界上市。

奇梦达渠道及零售业务部副总裁Carsten Gatzke博士表示,“我们很高兴向市场推出DDR3内存技术,使更多的用户能够体验崭新的英特尔迅驰2代技术。DDR3在几年中将是主要内存架构形式。DDR3技术的采用,表明亿能内存致力于向零售市场提供多种高端的内存产品。”

新的DDR3 模块以及高密度的DDR2-800 SO-DIMMs是亿能内存专为新一代英特尔迅驰2平台量身定做的零售DRAM解决方案的一部分。

相关推荐

半导体:内存价格居高不下的异常之年

半导体  内存  2013-12-27

我国技术被国外采用 明年开始生产锂电池

锂电池  笔记本电脑  2013-09-10

微软Surface被起诉 因内存与宣传不符

微软  Surface  内存  2012-11-19

Alienware笔记本电脑采用Killer Wireless-N 1202

高通  笔记本电脑  2012-05-28

传东芝松下或逐步退出笔记本电脑风扇市场

东芝  笔记本电脑  2012-05-07

尔必达破产牵动全球内存版图 内存条报价上涨

尔必达  内存  2012-03-04
在线研讨会
焦点