中芯、常忆联手推出0.18微米嵌入式闪存工艺技术

中芯国际集成电路制造有限公司与非易失性内存产品和IP供应商常忆科技日前共同宣布，已成功推出中芯国际0.18微米嵌入式闪存工艺技术和 IP組合包。基于常忆科技第三代2T PMOS flash(pFLASH)单元结构专利，中芯国际的0.18微米嵌入式快闪记忆体工艺，是芯片代工领先业者和嵌入式非挥发性记忆体专业厂商紧密合作的成果，现已全面通过认证并即将批量生产。

这一工艺技术可为客户提供高性能，符合成本效益的非挥发性记忆体解决方案，具有高耐性(多达100K的周期)和数据保存长久(可达10年)的优势，已通过品质验证并达成高良率目标。


凭借其低功耗、面积小、配置灵活的优点，0.18微米嵌入式快闪记忆体工艺对客户极具吸引力，可参与广泛的应用，如微控制器、USB钥匙、智能卡，以及快速成长的汽车电子应用。客户可将0.18微米技术作为一个起点，如已用更大的技术节点生产，也可快速切入该先进技术进行设计 。


“由于潜在的市场规模及广泛的应用，尤其是在中国，0.18微米嵌入式闪存工艺技术的推出具有重要意义。”中芯国际市场及业务中资深副总裁陈秋峰博士表示，“作为全球领先的代工厂商，中芯国际可提供嵌入式闪存和EEPROM技术以充分满足我们客户的需求。”


“这项先进的新技术能使客户开发出高性能的产品并取得显著的成本效益”，常忆科技总裁兼首席执行官王筱瑜表示。“我们很高兴与中芯国际合作，在如此短的时间内成功建立了第三代pFLASH平台。”