智原低漏电存储器通过硅验证

联电旗下设计服务厂智原科技昨（14）日发表适用于联电90纳米制程的低漏电存储器解决方案，相较于一般存储器，智原方案最高可以降低90％以上的漏电率，让客户的芯片面积有效的限缩到更理想范围，一并满足客户对于耗电以及面积两大议题的需求。

智原的低漏电存储器已通过完整的硅验证，并开始供应给IC设计公司、晶圆厂、系统厂、IDM厂等客户。