Vishay Siliconix推出采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET，扩大TrenchFET家族阵容

新产品的站位面积为1.6mm x 1.6mm，包括业界首款30V器件和业界导通电阻最低的器件

宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 8 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用热增强PowerPAK® SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET®家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。

已经发布的Siliconix SiB414DK是首款8V单N沟道功率MOSFET，也采用PowerPAK SC-75占位的封装，30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入进一步壮大了该产品系列。SiB408DK在10V时的导通电阻只有40mΩ，SiB412DK在4.5V时的导通电阻低至34mΩ，比最接近的竞争器件低21%。

PowerPAK SC-75封装的尺寸为1.6mmx16.mmx0.8mm，比2mmx2mm的器件小72％，比广泛使用的TSOP-6器件小72%，同时具有近似的导通电阻。而对设计者来说，更小尺寸的PowerPAK SC-75能够在便携式电子产品中节省空间、降低功耗，从而在满足消费者对电池运行时间要求的前提下，提供更多的功能。

N沟道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型应用包括负载、功放和便携式电子产品中的电池开关。与常用的3mm x 3mm封装相比，该器件可节约在1/8砖或1/16砖电源模块中的所占空间。SiB408DK还可用做笔记本电脑和上网本中的负载开关。

这些器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规范和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百通过了Rg和UIS测试。

器件规格表
型号 SiB414DK SiB412DK SiB408DK
VDS 8 V 20 V 30 V
VGS ± 5 V ± 8 V ± 20 V
RDS(ON) @ 10 V   40 mΩ
RDS(ON) @ 4.5 V 26 mΩ 34 mΩ 50 mΩ
RDS(ON) @ 2.5 V 30 mΩ 40 mΩ 
RDS(ON) @ 1.8 V 37 mΩ 54 mΩ 
RDS(ON) @ 1.5 V 52 mΩ  
RDS(ON) @ 1.2 V 89 mΩ  

新款N沟道PowerPAK SC-75功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。

VISHAY SILICONIX简介
Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®) 和更小空间(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。
Siliconix创建于1962年，在1996年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。

VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
TrenchFET®和PowerPAK® 是 Siliconix Incorporated 的注册商标