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IR新型-30VP沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

作者:  时间:2010-09-21 14:07  来源:电子产品世界

  全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件,适用于电池充电和放电开关,以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 4.6 m59 m,可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路,使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。

  IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“相比上一代产品,这个新型SO-8 P 沟道 MOSFET系列显著改善了电流处理能力,更为客户提供广泛的导通电阻选择,以适应他们对温度和成本的要求。同时,P 沟道技术也可以简化电路设计。”

  P 沟道 MOSFET器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 标准,所采用的材料不含铅,且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)

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