首页 » 业界动态 » IR为工业应用提供极低的闸电荷

IR为工业应用提供极低的闸电荷

作者:  时间:2009-08-17 13:44  来源:EDAW

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,为开关模式电源 (SMPS) 、不断电系统 (UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 (Qg)。

与其它竞争器件相比,IR 150V MOSFET提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200V MOSFET的闸电荷,则比竞争器件的降低了多达33%。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“随着DC-DC功率转换应用技术的日益进步,开关频率也有所提高,输入电容和闸电荷在整体效率方面担当起重要的角色。开关损耗的多少对快速开关电路来说是关键的问题。IR新推出的150V和200V MOSFET正好针对这个挑战做出了优化,所以非常适合作为通信应用中隔离式DC-DC转换器的主要开关,或者在任何先进的DC-DC应用中推动轻负载效率。”

这些新款MOSFET达到工业级别及第一级湿度感应度 (MSL1) 。它们采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封装,皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 指令。
产品的基本规格:

器件编号

封装

电压 V

Id A

最大RDSon mOhms

Qg nC

IRFB4615PBF

TO220

150

35

39

26

IRFS4615PBF

D2PAK

150

35

39

26

IRFSL4615PBF

TO262

150

35

39

26

IRFB4620PBF

TO220

200

25

72.5

25

IRFS4620PBF

D2PAK

200

25

72.5

25

IRFSL4620PBF

TO262

200

25

72.5

25



现在这些器件已向市场供应。

相关推荐

Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

Vishay  功率MOSFET  2011-03-16

IR新型-30VP沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

2010-09-21

IR新型-30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

2010-09-17

IR推出具有低栅级电荷的车用DirectFET功率器件

2010-09-09

安森美半导体扩充100V N沟道MOSFET系列

安森美  功率MOSFET  2010-02-03

Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器

Linear  功率MOSFET  驱动器  2010-01-27
在线研讨会
焦点