Vishay Siliconix最新推出12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET

器件的超低导通电阻从4.5V下的27m到1.5V下的130mΩ；占位面积仅有1.6mm x 1.6mm

宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 1 月 04 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新产品，使用了自对准工艺技术，在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，将业内最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了一半。

SiB455EDK具有超低的导通电阻，在4.5 V、2.5 V、1.8 V和1.5 V下的导通电阻分别为27mΩ、39mΩ、69mΩ和130mΩ，比前一代领先的12V P沟道器件在4.5 V、2.5 V、1.8 V下的导通电阻分别低55%、52%和39%。

该MOSFET可用做手机、智能手机、PDA和MP3播放器等手持设备中的负载、功放和电池开关。SiB455EDK的低导通电阻意味着更低的导通损耗，小尺寸的PowerPAK SC-75封装能够将节省下来的空间用于实现其他功能，或是让终端产品变得更加小巧。

新器件也是仅有的同时具有10V栅源电压和可在1.5V电压下导通的12V MOSFET，因此该器件可用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压引起栅极驱动电压波动的应用中，同时也为更小的输入电压提供更安全的设计。

为减少由ESD引起的现场故障，器件的典型ESD保护电压高达1500V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令2002/95/EC。

新款SiB455EDK TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，将在2010年第一季度实现量产，大宗订货的供货周期为14周到16周。