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Vishay发布六款新型80V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器

作者:  时间:2010-02-08 10:25  来源:电子设计应用

器件采用功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封装、具有10A~30A的电流额定范围,典型VF低至0.57V

宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 2 月 8 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装,具有10A~30A的电流额定范围。

今天发布的器件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S,以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封装。

凭借低至0.57V的极低前向电压降和优异的雪崩容量,在高频电源适配器、开关电源(SMPS)、桌面PC、服务器和LCD电视中,这些整流器能够减小续流二极管、AC-DC和DC-DC转换器的功率损耗并提高效率。

新款整流器的最大结温为150℃,符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC。TO-263AB封装的潮湿敏感度等级为1,符合per J-STD-020规范,无铅最高峰值温度为245℃。TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装的最大浸锡温度为275℃,时间为10秒钟,符合per JESD 22-B106规范。

器件规格表:

Vishay P/N
IF
(A)
VF ,at IFTJ
IFSM
( A )
最大TJ
( oC )
VF
(V)
IF
(A)
TA
(oC)
V(B,F,I)T1080S
10
0.60
10
125
100
150
V(B,F,I)T1080C
10
0.57
5
125
80
V(B,F,I)T2080S
20
0.70
20
125
150
V(B,F,I)T2080C
20
0.60
10
125
100
V(B,F,I)T3080S
30
0.73
30
125
200
V(B,F,I)T3080C
30
0.65
15
125
150

新款TMBS整流器现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周。

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