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Vishay发布新的第三代TrenchFET®功率MOSFET

作者:  时间:2010-04-27 13:47  来源:

       日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。

       新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺,将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半:在4.5V、2.5V、2V和1.8V电压下的导通电阻分别为32 mΩ、46mΩ、65mΩ和120mΩ。

       Si8499DB采用第三代TrenchFET P沟道技术,器件的芯片级封装具有最大的裸片与占位比,在非常紧凑的器件内提供了超低导通电阻。MICRO FOOT封装所需的PCB面积只有TSOP-6的1/6,而导通电阻则很相近,从而为其他产品功能腾出空间,或是使终端产品变得更小。

       MOSFE的低导通电阻意味着负载、充电器和电池开关中更低的压降,使智能手机、PDA和MP3播放器等个人手持设备能够更快地充电,在两次充电之间的电池寿命更长。

       MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规范,符合RoHS指令2002/95/EC。

Si8499DB TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十六周。

VISHAY简介

       Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富 1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC)和无源电子元件(电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器)的最大制造商之一,这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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