据报道，台湾DRAM内存制造商认为，三星目前已经将重点放在了拉大与竞争对手在NAND闪存市场差距。由于在DRAM市场的地位十分稳固，三星未来将不 会继续加强该市场的投资，因此其它DRAM厂商在这方面的影响将会比较小。三星此前在全球NAND闪存市场的份额一度达到50%，但目前 已经滑落到了40%，而且排在第二的东芝也是在身后紧追不舍。为了拉大与东芝的差距，三星可能将会将其NAND闪存芯片生产集中在新建的Line-16生 产线上。
外界还认为，受到操纵内存价格事、可能遭受反垄断调查影响，三星未来在DRAM市场份额继续增长的可能性不大。
根据三星的存储芯片增产方案，Line-16生产线上的DRAM内存、NAND闪存芯片以及下一代存储产品将在2011年投入生产，月需12寸晶圆数量20万片。三星还将利用其Line-15生产线增加其30nm DRAM芯片产量。
Digitimes Research分析师Nobunaga Chai认为，三星的增产计划将影响到内存市场供需和价格。三星已经早于其它竞争对手提前过度到了30nm工艺，该工艺生产的DRAM芯片将占据其今年内存芯片总量的10%。
Nobunaga Chai还预计称，2011-2012年DRAM市场可能出现产能过剩的局面，到时候将会出现价格大幅下降，一些竞争力不强的DRAM厂商将会被淘汰。