恩智浦半导体(NXP Semiconductors)最近宣布,在加利福尼亚州阿纳海姆举行的“2010年IEEE MTT-S国际微波研讨会”上,展示了其用于新一代基站的最新高性能射频和混合信号产品。特色产品包括恩智浦新型高速数据转换器组合——全球首个支持JEDEC JESD
恩智浦半导体高级副总裁兼高性能射频和照明业务总经理John Croteau表示,“随着无线数据流量的巨幅增长,移动基础设施供应商正在承受着将高性价比和低功耗的基站快速推向市场的巨大压力。从分立器件到模块构件和专用标准产品(ASSP),恩智浦提供一系列的高性能射频产品组合,简化了更紧凑和更高效解决方案的设计过程”。“通过我们在JESD
特色产品包括:
· 高速数据转换器。恩智浦新型高速CGVTM ADCs和DACs在行业内首次运用JEDEC JESD
· 先进的小信号射频器件。恩智浦将展示其射频小信号的完整产品组合,其中包括基于SiGe:C工艺的突破性低噪声放大器系列产品,它满足无线基础设施非常苛刻的要求,即 NF小于0.7dB,20dB增益和33dBm IP3,实现了更高的集成度。其他重点包括通过恩智浦全面射频测试的基于硅工艺的固定和可变增益高线性度放大器产品系列,适用于IF和RF频段,可实现P1dB最高达33dBm,增益控制范围超过30dB,模拟和数字SPI控制接口,OIP3达45dBm以上。
· 最佳射频功率产品。恩智浦将展示其第七代 LDMOS大功率晶体管组合,其功效表现出色,单端封装200W,推挽(双路)封装250W和300W。如同所有的恩智浦LDMOS功率晶体管,第七代LDMOS高功率晶体管保障了基站可靠运行所需的耐用性。此外,恩智浦提供了全面的最佳Doherty功率放大器,覆盖了无线基础设施的整个频率范围,从 400到3500MHz ,这在业界是最广的。通过均在900兆赫环境下运行的业界首个三路Doherty放大器和基于恩智浦50V LDMOS处理技术的第一个单封装600W Doherty功率放大器,恩智浦为射频设计工程师提供了最佳选择,并使非常紧凑的基站成为可能。三路Doherty电路可达52.7dBm峰值(平均功率44.1dBm),并具有49.2%的高效率。目前,600W(57.8dbBm)单封装电路在带内49.2dBm输出功率状态下,可实现超过43%的效率。此外,恩智浦将展示其独有的专为紧凑型射频拉远和天线阵列设计的完全集成Doherty放大器。
有关恩智浦高性能射频产品的更多信息,http://www.nxp.com/infocus/topics/mtts_2010/
关于恩智浦半导体
恩智浦半导体以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长,提供高性能混合信号(High Performance Mixed Signal)和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。公司总部位于欧洲,在全球超过25个国家拥有28,000名员工,2009年公司营业额达到38亿美元。