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Vishay推出500V的N沟道功率MOSFET超低导通电阻

作者:  时间:2010-10-18 16:49  来源:电子产品世界

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新型500V16AN沟道功率MOSFET --- SiHP16N50CSiHF16N50CSiHB16N50CSiHG16N50C。新MOSFET10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220ABTO-220 FULLPAKD2PAKTO-247AC封装。

  SiHP16N50C (TO-220AB)SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)SiHB16N50C (D2PAK)SiHG16N50C (TO-247AC)的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而在功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和各种应用的LLC拓扑中节约能源,这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机电源、LCD TV和开放式电源。

  除了低导通电阻,这些器件的栅极电荷为68nC。栅极电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM),这些MOSFETFOM只有25.84 Ω-nC

  新款N沟道MOSFET使用Vishay Planar Cell技术进行生产,该技术为减小通态电阻进行了定制处理,可以在雪崩和通讯模式下承受高能脉冲。与前一代MOSFET相比,SiHP16N50CSiHF16N50CSiHB16N50CSiHG16N50C还具有更快的开关速度,并减小了开关损耗。

  这些器件符合RoHS指令2002/95/EC,并且经过了完备的雪崩测试,以实现可靠工作。

  新款功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周到十周。

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