在同一个输入电压不同负载情况下MOSFET器件的uDS的波形如图5所示。
图5 负载变化时开关管的uds波形
图5上半部分是负载为40Ω时的波形,图5下半部分是负载为30Ω时的波形。由图5可知,在不同负载下,MOSFET器件开关的占空比是不相同的,负载大则MOSFET器件的导通时间长。
2)输入电压变化时输出电压的动态特性
当输入电压发生变化时,输出电压也会在瞬间随着发生变化,由于输入电压的变化直接导致输入电流的变化,在电流采样电阻上的压降的上升斜率随着变化,可以直接导致输出占空比的改变,同时,输出电压的反馈环节同样起着调节作用。图6为输入电压变化时输出电压的变化情况。
图6(a)为输入电压由200V减小到150V时的输出电压的波形。从图中可以看出,经过短暂的时间调整后,输出电压重新趋向于稳定值,并且输出电压的变化非常小。
图6(b)为输入电压由150V变到200V时的输出电压波形。
图6 输入电压变化时输出电压的动态特性
4 结语
本文在给出反激电路拓扑的基础上,通过实际的分立元器件搭构实现该拓扑。给出多组试验波形,以此分析了驱动控制电路的特点以及工作性能。试验证明,这种电路控制方法简洁,性能优良。该电路不仅可以应用于反激式电路,也可以应用于正激式和其它DC/DC电路中。由于所有元器件由分立元器件搭构,这就为将来的集成化,以至最终研制芯片提供了基础,验证了可行性。