日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用
新的 SiA923EDJ可用于DC-DC转换器,以及智能手机、MP3播放器、平板电脑和电子书等手持设备中的充电和负载开关。更低的MOSFET导通电阻意味着更低的传导损耗,从而在这些设备中节省电能并延长两次充电之间的电池寿命。
SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V时分别具有
MOSFET在1.5V电压下就能导通,因而能够配合手持设备中常用的电压更低的栅极驱动器和更低的总线电压一起工作,不需要在电平转换电路上浪费空间和成本。SiA923EDJ的低导通电阻使其在峰值电流下的电压降更小,能够更好地防止有害的欠压锁定事件。紧凑的2mmx
SiA923EDJ经过了100%的Rg测试,符合IEC 6
SiA923EDJ与此前发布的具有12V最大栅源电压等级的20V SiA921EDJ P沟道MOSFET互为补充。随着SiA923EDJ的发布,设计者现在可以从具有更高栅极驱动电压的SiA921EDJ或具有更低阈值电压及更低导通电阻的器件当中选择合适的产品。
新款SiA923EDJ TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十四周到十六周。