首页 » 业界动态 » 海力士看好存储器价格反弹

海力士看好存储器价格反弹

作者:  时间:2011-04-02 12:46  来源:电子产品世界

  韩国存储器大厂海力士(Hynix)DRAMNAND Flash产业后市,发表脱离谷底的看法,对于台系DRAM厂而言,可望注入强心针。在硅晶圆部分,海力士与台厂目前都有1~2个月不等库存,短期仍可支应生产,但中长线来看,日本地震造成硅晶圆短缺问题仍待厘清,目前市场买盘多是边走边看,没有一窝蜂抢货,但也会担心日后供给吃紧造成涨价问题。

  日本地震过后,各家DRAM厂都纷纷调高售价,市场买盘强度中等,并未出现一窝蜂抢货情况,原本供过于求严重的DRAM产业,各业者都认为DRAM售价会逐渐触底反弹,美光(Micron)执行长Steve Appleton日前也出面表示,看好3~5月的DRAM报价将落底反弹,而30日海力士社长权五哲也呼应表示,存储器价格会逐渐落底反弹。

  硅晶圆方面,海力士认为目前库存还维持约45天,短期内不会受到影响;台厂认为,目前各家库存都维持1~2个月水平,短期内尚不成问题,但中长期来看,没有一家业者敢挂保证长期确定会供货无虑,因为2大硅晶圆厂都还为宣布完全复工,因此真正的供货压力会在5月之后浮现。

  台系DRAM厂中,南亚科和华亚科主要依赖台塑集团和Sumco合资的台胜科供应硅晶圆,供货上较为安全,而在尔必达(Elpida)阵营中,主要依赖这次受日本强震影响严重的信越半导体,加上是采用高阶制程用的EPI Wafer,目前也找其它硅晶圆供应商支持。

  虽然受到日本地震干扰,但三星电子(Samsung Electronics)和海力士在制程微缩进度上都持续往前,三星2011年下半30纳米制程会占超过50%比重,海力士也表示2011年底30纳米制程比重会提升至40%2家公司也将开始持续研发20纳米制程,预计20纳米制程会在2012年问世量产。

  台厂在制程微缩进度上,相较三星等大厂会晚一些,2011年中开始,会陆续导入30纳米制程,其中南亚科和华亚科会和美光(Micron)共同转进37纳米制程,尔必达和瑞晶2011年也会陆续到入30纳米制程,进一步驱动成本下降。

  业者认为,这次日本强震后,虽然各厂都受到硅晶圆和化学材料供应不顺影响,但相较之下,其实韩系存储器厂受到影响较小,台湾则因为与日系业者联系度较高,因此多少会受影响;日前海力士即表示,可趁此机会逐渐提升全球市存储器的市占率。

相关推荐

Q2全球DRAM市场营运利润率27%创三年新高

DRAM  PC  2013-10-22

10月快闪存储器NAND供过于求 合约价看涨

快闪存储器  NAND  2013-10-15

SK海力士无锡大火余波:DRAM芯片涨价42%

SK海力士  DRAM  2013-09-30

SK海力士火灾致DRAM芯片价格创两年来新高

SK海力士  DRAM  2013-09-26

嵌入式系统的固件更新

嵌入式  Flash  RAM  缓冲区  2013-09-12

三星宣布量产全球首个3D垂直闪存V-NAND

三星  V-NAND  2013-08-12
在线研讨会
焦点