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美光:未来NAND Flash不求市占率但求低成本

作者:  时间:2011-04-28 08:37  来源:电子产品世界

  由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长,加上日本强震造成东芝(Toshiba)56NAND Flash供货锐减50%,美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求,除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能,未来不排除再扩大NANDFlash产能,可行方案包括释出代工权给华亚科生产,或是启动新加坡二厂。美光指出,未来NAND Flash策略不追求市占第1,但要做到成本最低。

  美光日前摆脱合作伙伴英特尔不愿再投资NANDFlash产业阴霾,双方宣布共同投资30亿美元,启动新加坡12寸晶圆厂IMFS(IM Flash Technologies Singapore),且美光为确保获得多数产能,对该座厂房投资比重高于英特尔,未来可获得较多产能分配。

  值得注意的是,2011年初传出美光与台塑针对NANDFlash技术授权华亚科生产一事进行谈判,但最后双方未达共识,但对于美光是否会释出NANDFlash代工权给华亚科,业界讨论不断。美光企业发展副总裁MichaelSadler表示,目前无法让华亚科代工NANDFlash,主要是受限于其与英特尔之间合约,规定NANDFlash技术不能转移到其它晶圆厂生产,但对于未来授权NANDFlash技术给华亚科的可能性,仍是保持开放空间和态度。

  Sadler亦表示,美光要增加NANDFlash产能,另一个选项就是启动新加坡二厂,亦即现有新加坡晶圆厂旁边空地。然存储器业者认为,启动新加坡二厂所需资金恐相当高,英特尔不一定会再投资,若美光想快速扩大NANDFlash产能,让华亚科代工是最快方式。

  过去华亚科13万片12寸晶圆产能主要是支持DRAM生产,但DRAM需求成长受限,华亚科已改弦易辙,生产MobileRAMServer DRAM,调拨部分12寸产能给NAND Flash,会是美光取得更多NAND Flash产能最快捷径。

  目前美光和英特尔在美国有2个策略联盟晶圆厂,分别位在维吉尼亚州Manassas厂和犹他州Lehi厂,双方亦在新加坡合资晶圆厂,因此,未来美光NAND Flash技术若要技转给其它代工厂,必须先获得英特尔首肯。

  另外,相较于三星电子(Samsung Electronics)和东芝在NAND Flash产业市占率都高达35%左右,美光市占约维持在10~12%。美光强调,在NAND Flash产业中,其目标不会去追求全球第1,而是要求全球成本最低、最快速把产品推到市场上,如今25纳米制程已是产业最基本竞争门槛,下一轮战争将是在20纳米制程上。

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