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3DIC芯片堆叠技术项目又有6成员加入

作者:  时间:2011-05-04 13:03  来源:电子产品世界

  包括ASE(AdvancedSemiconductorEngineering)AlteraADI(AnalogDevices)LSI,安森美以及高通公司在内的6家半导体公司现已加入了3DIC芯片堆叠技术启动项目,该消息是由美国半导体制造技术联盟(Sematech)于日前公布。

  去年Sematech宣布建成了首个300mm规格3DIC试产产线,该产线建在纽约州立大学纳米科学与工程学院下属的奥尔巴尼纳米技术研究中心(CNSE)内,而Sematech3DIC芯片堆叠技术研究则是以该研究中心为核心展开的。在此之前,除了CNSE之外,已经有GlobalFoundries,惠普,HynixIBMIntel,三星以及联电几家公司加入了这个研究项目。

  201012月份,Sematech联合半导体协会(SIA)以及半导体研究协会(SRC)一起启动了一项新的3DIC芯片堆叠技术启动项目,该项目成立的目的是促进3DIC技术的标准化和对异构型3DIC整合技术进行研究。项目的首要目标是确立出一套与3DIC关键技术如量检测技术,芯片键合技术,微凸焊点(microbumping)等有关的技术和规格标准。

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