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SOI晶圆供应商称为晶体管制造做好了量产准备

作者:  时间:2011-06-29 17:46  来源:电子产品世界

  不久前在日本京都举行的VLSI技术研讨会上提交的研究结果显示,采用超薄衬底的SOI晶圆和22纳米工艺制造的器件和采用体硅晶圆、22纳米工艺制造的器件相比,性能的提高达到了25%。包括MEMCSEHSoitec等在内的几家主要SOI晶圆供应商表示,他们已经为超薄衬底的SOI晶圆的规模化生产做好了准备。这些绝缘层上硅的厚度只有不到10纳米,而且均匀性控制在艾米量级SOI晶圆对生产合格的全耗尽型晶体管是至关重要的。

  SOI晶圆供应联盟的一位官员称,SOI晶圆最终的生产成本和体硅晶圆相比还要低6%,这和英特尔资深研究人员Mark Bohr的评论相左。Mark Bohr5月份英特尔推出22纳米3-D 三栅极晶体管技术时表示,超薄衬底的SOI晶圆非常昂贵而且很难找到货源。Mark Bohr称,如果英特尔采用超薄衬底的SOI晶圆来实现3-D 三栅极晶体管,其晶圆的成本将增加10%

  目前IBM STMicro GlobalFoundries Renesas Toshiba等芯片制造商是采用SOI晶圆制造下一代集成电路的主要推手。

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