非易失性存储芯片(NVM)专利厂商Kilopass公司本周二宣布，将把自己一项有关单次可编程型NVM产品专利授权给中芯国际使用，中芯国际将使用55nm制程技术制造使用这项专利技术的NVM存储芯片。
Kilopass同时表示，他们已经成功完成了基于中芯国际65nm制程产品的流片设计工作，两家公司自2005年起便建立了合作关系，当时Kilopass刚刚把其单次可编程NVM芯片的技术专利授权给中芯国际制造180nm制程产品。随后，Kilopass依次又将有关的技术授权给了中芯130nm，90nm，65nm级别制程的产品。
据Kilopass称，中芯国际的客户需要将这种NVM芯片嵌入到多媒体处理器，MCU，RFID IC射频识别芯片中去，以储存数据，自举代码，芯片ID等数据。
“很高兴看到中芯国际愿意继续在55nm制程产品上与我们合作研发NVM存储芯片技术。将制程由65nm进化到55nm后，芯片的面积和生产成本都将减小20%，而且不需要重新设计掩膜板，这对提高SOC芯片产品的竞争力而言非常有益。”
另据Kilopass宣称，其授权的双晶体管型反熔丝(2T antifuse)专利技术目前为止已经被使用在20亿片采用单次可编程型NVM存储技术解决方案的芯片产品上，这种专利技术只需要使用标准的CMOS逻辑电路即可构建，不需要变动掩膜板设计，芯片的制造工序/制造用设备等也可以保持不变。
PS:反熔丝技术(antifuse)是一种金属间的可编程互连组件,与消费电子领域常见的闪存技术在晶体管结构上有所区别，但均可用于存储数据。反熔丝一般处于开路状态，且当编程后就形成一个永久性的无源低阻抗连接。由于对反熔丝编程需要多个高压脉冲，因此，高能粒子不可能改变其编程状态。