首页 » 业界动态 » InGaN-on-Si长波LED设备首次被证实

InGaN-on-Si长波LED设备首次被证实

作者:  时间:2011-07-15 21:28  来源:电子产品世界

  位于美国亚利桑那州凤凰城的玫瑰街实验室是一家产品和服务供应商,为私人所有,服务于可再生能源和半导体市场。它宣称第一个证实了基于硅片可以生产长波LED设备,其相比于传统蓝宝石或碳化硅衬底具有很大的成本优势。与紫外线和蓝光LED相比,由于量子效率的下降,制造绿光LED以及长波氮化物基LED极具挑战性,一直被认为是行业发展的一个里程碑。

  玫瑰街实验室的姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)将负责绿光LED和长波LED的封装。FCL在封装半导体功率器件方面具有丰富的经验,其分布于全球的制造厂将为该实验室提供专属的LED设备封装解决方案。

  玫瑰街实验室还初步证实了可将光线调整为多色光和白光光谱。该公司表示,InGaN-on-Si长波LED具有高强度、低能耗和商业成本极低的优点,预计未来2-3年中该技术可实现在200毫米硅衬底上生产InGaN-on-SiLED设备,商业前景广阔。

相关推荐

需求爆发!蓝宝石基板厂扩产迎商机

蓝宝石  基板  2013-12-04

LED市况好转,蓝宝石晶棒价止跌回升

LED  蓝宝石  2013-07-04

蓝宝石基板厂11月报价已松动

鑫晶  基板  蓝宝石  2012-11-20

LED设备大厂AIXTRON称今年订单不明朗

AIXTRON  LED设备  2012-03-05

兆晶将赴中国设蓝宝石长晶厂及基板厂

兆晶  蓝宝石  2011-11-29

协鑫在徐州举办GCL蓝宝石项目投产庆典

协鑫  蓝宝石  2011-11-02
在线研讨会
焦点