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ARM全力对付硅和电池的障碍

作者:  时间:2011-08-22 16:46  来源:电子产品世界

        硅缩放和电池技术的一个大障碍阻碍了在移动通信系统中的巨大的机遇,一个ARM执行在主题演讲中说。

       “硅缩放,在某一时刻会结束,而且我认为它的到来早于很多人所料想的,”ARM的物理IP部门的总经理Simon Segars,在一年一度的热芯片的事件说。更重要的是,“我们确实需要一个新的电池技术,”他说。

        用硅原子测量一小部分在直径和单个纳米数字工艺技术接近的纳米位数,“在我们需要其他材料,III-V半导体之前,你只能规模到目前为止”他说

        难以提供生产质量的EUV(极紫外)光刻技术已经造成了问题。今天的浸泡系统芯片制造商必须使用复杂的双图形技术,而等待他们的EUV,可用于14nm节点所需的,Segars说。

       “你需要产生一个每小时200-300晶圆,今天的EUV技术的机器现在可以做每小时约五晶圆”Segars说。 “有人质疑是否将成为主流——研发仍然需要深入探究,”他补充说。

        设计问题显得突出。 4G调制解调器可以500倍的2G版本的复杂性,需要专用的数据处理引擎。

        他说,需要更多的性能和功耗也推动了多个电源域的复杂性和时序收敛。不过,ARM 执行承诺提出包括Cortex A15处理器充分的跨多个CPUGPU,到2015年。

        电池技术看起来同样具有挑战性,增加每年只有约11%,远远落后于摩尔定律的步伐。即使维持萧条率,“将需要一些特殊材料,如硅合金或碳纳米管——电池是真正的毫无价值,”他说。

        在另一侧的障碍是巨大的移动机遇。“所有的数字都很大,”Segars说,注意到去年的40亿移动电话用户市场的销售额为280万部智能手机。

        “虽然我们已经取得了意想不到的进展,仍然会有一些问题存在,未来也不会再像过去,”他警告说。

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