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>片上系统;nand flash;直接内存存取
东芝、尔必达再谈整合
日系DRAM厂尔必达(Elpida)身陷财务风暴,近期传出在日本官方作媒下,正与同为日系NAND Flash大厂东芝(Toshiba)洽谈整合事宜。对此东芝...
东芝
NAND
2012-01-05
把面向数字家庭的Adobe Flash引进到MIPS-Based平台
Q.什么是三重播放集成? A.TPI公司是一家致力于提供数字家庭视频平台解决方案的专业软件服务公司。TPI公司还是官方Adobe 的“Sc...
TPI
Adobe
Flash
2011-09-02
出货不如预期 闪存芯片价格小幅下跌
受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰,2011部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期,及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递...
闪存芯片
NAND
2011-08-30
最炫Flash性能 歌美HD8900 LE拆机评测
相比传统MP4,FlashPMP加入丰富多彩的FlashUI界面,不仅更能突出视觉上的缤纷享受,文件内存占用少的优点更使MP4整体性能得到大大提高。歌美HD...
Flash
歌美
HD8900
2011-08-03
存储器产业群雄割据时代将再度来临
随著存储器容量越来越大,NANDFlash产业制程在进入20纳米制程后,也开始遇到瓶颈,业界在未来制作更大容量存储器上,面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面...
三星
存储器
NAND
2011-08-01
纳米制程遇瓶颈 业者纷纷投入3D存储器的开发
随著存储器容量越来越大,NAND Flash产业制程在进入20纳米制程后,也开始遇到瓶颈,业界在未来制作更大容量存储器上,面临是否继续发展纳米的抉择。日本方...
尔必达
NAND
2011-07-29
今年游戏主机NAND flash内存密度提高40%
内存的成本高昂,今年 NAND 在家庭主机和手持设备上的密集度仍将提高 40% 以上,而这是游戏最主要的游戏环境。 今年家用游戏主机的 NAND 平均...
Sony
NAND
2011-07-28
LSI推出CacheVault Flash高速缓存保护技术
LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技术,用于为 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供...
LSI
NAND
2011-07-27
2011年NAND闪存密度将增长40%以上
据IHS iSuppli公司的NAND闪存研究报告,尽管NAND闪存成本较高妨碍其进入游戏硬件,但2011年家庭游戏机与手持游戏机中的NAND密度将增长40...
索尼
NAND
2011-07-22
基于FAT32文件系统嵌入式软件的实现
引言 近几年来,随着闪烁存储技术的进步,由于Flash闪烁存储体系具有容量大和功耗低等优点,被广泛用于数码相机、媒体播放器和PDA等各种数码产品中。当...
Flash
FAT32
2011-07-21
三星电子韩国新NAND厂预计9月投产
三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说,新厂编号为“Line-16”,主要生产NAND芯片。 2010年...
三星
NAND
2011-07-19
东芝和SanDisk日本建第3个NAND半导体工厂
日前东芝和SanDisk在日本建立了第三家半导体工厂,以应对智能手机和平板电脑的快速发展而带来的对闪存芯片的大量需求。该工厂主要生产300毫米晶片NAND半...
东芝
NAND
2011-07-15
东芝与Sandisk共庆NAND闪存工厂Fab5正式投产
东芝株式会社 与Sandisk公司日前共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。 由于消费者对...
东芝
NAND
2011-07-14
三星、东芝NAND Flash市占差距缩减至0.3%
据韩国媒体报导,2011年第1季NAND Flash市场上,日厂东芝(Toshiba)猛力追击,以市占率0.3%差距,威胁三星电子(Samsung Elec...
三星
Flash
2011-07-13
苹果三星风波引发四大半导体厂商主演四角恋大戏
最近举办的Semicon West2011半导体业界大会上,三星与苹果之间的知识产权争端事件显然会是一个有趣的话题。目前,三星正准备于8月份开始量产苹果手机...
三星
NAND
2011-07-12
Mobile RAM防线恐失守
行动装置风潮崛起使得PC DRAM需求式微,自2011年起包括Mobile RAM、服务器DRAM等,俨然已成为DRAM厂最佳避风港,然在各家存储器大厂一窝...
DRAM
NAND
2011-06-20
Hynix开发出20nm制程64Gbit密度MLC NAND闪存芯片
Hynix半导体公司在近日举办的2011VLSI研讨上宣布成功研发出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND闪存芯片,Hynix称这款产品是业...
Hynix
NAND
2011-06-17
海力士半导体放缓NAND Flash工艺转换速度
南韩半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群,近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产...
海力士
NAND
2011-06-10
C8051FXXX单片机FLASH程序的自动升级
引言: C8051FXXX系列高速SOC单片机是由美国Cygnal公司开发的完全集成的混合信号系统级芯片,具有与8051兼容的微处理器内核,内部集成F...
单片机
FLASH
2011-06-08
需求趋缓致NAND闪存芯片价格下降
由于苹果等大型企业的需求不够强劲,导致5月的NAND闪存芯片合约价格“快速”降低。 今年5月的NAND芯片价格的降幅已经超过1...
ipad
NAND
2011-06-07
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