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IR发布耐圧1200V的汽车用IGBT
美国国际整流器公司(International Rectifier)上市了耐压1200V的车载用IGBT“AUIRG7CH80K6B-M&rdquo...
IGBT
电动汽车
混合动力
2009-12-01
IR IRMD2336DJ三相栅极驱动参考设计
IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...
IRMD2336DJ
栅极驱动
IGBT
2009-11-24
IR IRS2336xD三相栅极驱动参考设计
IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...
RS2336xD
三相
栅极驱动
功率MOSFET
IGBT
2009-10-23
IR IRMD2336DJ三相栅极驱动参考设计
IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...
IRMD2336DJ
三相栅极驱动
MOSFET
IGBT
2009-08-20
英飞凌再度称雄功率电子市场,进一步巩固全球第一位置
2009年8月18日,德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)在功率电子半导体分...
英飞凌
功率电子
IGBT
2009-08-18
IGBT在客车DC 600V系统逆变器中的应用与保护
IGBT综述 1.1 IGBT的结构特点 IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate ...
IGBT
逆变器
过热保护
2009-08-04
英飞凌与LS Industrial Systems合组新公司,聚焦白家电电源模块
韩国LS Industrial Systems与英飞凌科技(Infineon)共同成立了一家合资公司──LS Power Semitech Co., Ltd,将...
英飞凌
LS Industrial Systems
白色家电
电源模块
2009-06-17
Vishay推出业界操作电压最高的IGBT和MOSFET驱动器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器,丰富了其已有的光耦产...
IGBT
MOSFET
LED
2009-06-08
英飞凌在2009 PCIM中国展会推出MIPAQ™ base量产模块
在上海举办的2009 PCIM中国展会上,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)今日宣布推出IGBT(绝缘栅双极晶体管)MIPAQ&t...
英飞凌
IGBT
二极管
2009-06-04
高频电源模块驱动电路设计
1、驱动电路的基本要求 一个理想的IGBT驱动电路应具有以下基本性能: (1)动态驱动能力强,能为IGBT栅极提供具有陡峭前后沿的驱动电压脉冲;...
高频
电源模块
驱动电路
2009-05-12
适用于风力发电机的可靠电力电子器件
1 引言 在兆瓦级,大功率电力电子应用中需要大容量的半导体器件。然而,对于某些应用来说,即使是目前可以得到的最大半导体器件容量也不够大。因此需要将它们...
风力发电机
电力电子
IGBT
2009-05-08
基于高性能单片机的功率直流开关电源的设计
1 引言 直流稳压电源已广泛地应用于许多工业领域中。在工业生产中(如电焊、电镀或直流电机的调速等),需要用到大量的电压可调的直流电源,他们一般都要求有...
单片机
开关电源
IGBT
2009-05-07
用电源模块速修复液晶显示器
在液晶显示器维修工作中.经常会遇到主电源电路损坏而无配件更换的情况.此时开关电源变压器一般完好,可以采用维修家电中常用的电源模块来快速维修.下面介绍采用申华 S...
电源模块
液晶显示器
2009-05-07
基于L4981B的APFC电路设计性能优化
O 引 言 电源是每一个电子设备所必须的重要组成部分。按照国际电工委员会标准IEC 61000—3—2的要求,电子设备输入电流...
L4981B
APFC
IGBT
电磁兼容
2009-04-29
基于TMS320F28334的伺服系统模块设计
1 引言 随着工业、民用、军事对自动化的需求不断提高,以高性能微处理器为控制策略的数字化交流伺服系统必将成为伺服系统的发展趋势。围绕TI公司推出的高性...
伺服系统
TMS320F28334
电源模块
2009-03-18
基于EXB841的IGBT驱动与保护电路研究
1 引 言 多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFE...
EXB841
IGBT
驱动
2009-03-01
英飞凌扩大功率模块生产
近日,英飞凌科技股份公司(法兰克福/纽约交易所股票交易代码:IFX)在其位于德国慕尼黑Neubiberg的总部宣布,该公司正在扩建其位于匈牙利Cegl&eacu...
英飞凌
Neubiberg
IGBT
2009-02-11
AC/DC与DC/DC电源模块虚拟测试系统的设计
引言 近...
D/A
A/D
电源模块
2008-11-26
全面降低EMI的600V QPT IGBT设计概念
穿透型(Punch Through) IGBT在本质上会比其相对的MOSFET器件产生更多EMI(电磁干扰),这是由于IGBT的本质是双载流器件,其开关特性是受...
MOSFET
IGBT
QPT
2008-11-24
高性能、高能效的IGBT
随着国际汽油价格的不断攀升,运输成本和所有其他能源生产成本也随着石油价格的上涨而不断增大。同时,人们对电力的需求也达到了一个前所未有的高度。同样糟糕的是,石化产...
IGBT
能效
电压控制
开关电源
2008-10-23
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