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Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPA...

Vishay 功率MOSFET 2011-03-16

IR新型-30VP沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

　　全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采...

IR 功率MOSFET 2010-09-21

IR新型-30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

　　全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采...

IR 功率MOSFET 2010-09-17

IR推出具有低栅级电荷的车用DirectFET功率器件

　　全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布针对开关应用，推出两...

IR 功率MOSFET AUIRF7648M2 2010-09-09

安森美半导体扩充100V N沟道MOSFET系列

经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰 2010年2月2日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高...

安森美功率MOSFET 2010-02-03

Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2010 年 1 月 27 日 – 凌力尔特公司 (Linear Techno...

Linear 功率MOSFET 驱动器 2010-01-27

Vishay Siliconix推出4款600V MOSFET

功率MOSFET采用TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装，导通电阻仅有0.190Ω 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 1 ...

Vishay 功率MOSFET 导通电阻 2010-01-26

IR推出适用于汽车的DirectFET®2功率MOSFET

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF...

IR 功率MOSFET 汽车 2010-01-26

德州仪器推出面向高电流DC/DC应用的功率MOSFET

采用创新封装手段的DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET在标准封装尺寸下将散热效率提升 80%、允许电流提高 50% ...

TI 功率MOSFET DC/DC 2010-01-13

Fairchild FSEZ1016A PSR电源转换方案

Fairchild 公司的FSEZ1016A 是集成了功率MOSFET的初级侧调整(PSR)PWM,能简化需要CV和CC调整功能的电源设计,不需要次级反馈电路,...

FSEZ1016A PSR 电源转换 PWM 功率MOSFET 2010-01-06

Vishay Siliconix最新推出12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET

器件的超低导通电阻从4.5V下的27m到1.5V下的130mΩ；占位面积仅有1.6mm x 1.6mm 宾夕法尼亚、MALVERN —...

Vishay 功率MOSFET 导通电阻 TrenchFET 2010-01-04

Allegromicro LC5200离线LED驱动方案

Allegromicro 公司的LC5200是离线LED驱动器集成电路,包括主控制器(MIC)和功率MOSFET.它的高压能直接连接到25V-400V的电源,最...

LC5200 离线LED驱动器功率MOSFET MIC 2009-12-30

Vishay Siliconix推出业界最小的60V功率MOSFET

新款器件采用1mm x 0.6mm的SOT-923封装，最大厚度仅为0.43mm，为小信号应用提供了节省空间的解决方案宾夕法尼亚、MALVERN &mdas...

Vishay 功率MOSFET 导通电阻 2009-12-30

意法半导体推出业界单位芯片面积通态电阻最低的超结器件

最新的 650V MDmesh™ V器件采用 TO-247封装，38mΩ标称通态电阻，提高能效和功率密度中国，2009年12月14日...

意法半导体功率MOSFET 通态电阻 2009-12-14

IR IR11672AS智能整流器控制方案

IR 公司的IR11672AS是智能整流器控制器,用来驱动隔离反激和谐振半桥转换器中同步整流器的N沟功率MOSFET,最大开关频率为500kHz,关断驱动电流峰...

IR11672AS 智能整流器控制功率MOSFET 2009-12-11

IR IRMD2336DJ三相栅极驱动参考设计

IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...

IRMD2336DJ 三相栅极驱动功率MOSFET IGBT 2009-12-01

Vishay Siliconix最新推出具超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

这款20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET具有业内最低的导通电阻，在紧凑的2mm x 2mm的占位面积内实现了从18mΩ@...

Vishay 功率MOSFET 导通电阻 2009-11-23

Power Integrations TOPSwitch-HX电源解决方案

Power Integrations公司的TOPSwitch-HX系列是成本效益器件,在单个器件内集成了700V功率MOSFET,高压开关电流源,PWM控制,振...

TOPSwitch-HX 电源功率MOSFET 2009-11-04

Vishay推出业界最小的芯片级MOSFET

器件最大尺寸仅为1mm x 1mm，且导通电阻比非芯片级器件提高10倍宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 11 月 04 日 &md...

Vishay 功率MOSFET MICRO FOOT 2009-11-04

IR IRS2336xD三相栅极驱动参考设计

IR公司的IRS2336xD是高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有三个高边和低边参考输出通路,能驱动多达6个IGBT/MOSFET功率器件,每路的...

RS2336xD 三相栅极驱动功率MOSFET IGBT 2009-10-23

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