英特尔在全球率先取得45纳米芯片制程技术开发重大成功

45nm SRAM photo: 包含153兆比特静态随机存取内存及逻辑测试电路的英特尔45纳米测试芯片

英特尔公司今天宣布其成为全球第一家在45纳米制程逻辑技术开发中取得重大成果的公司。英特尔已经成功生产出了全球首款采用45纳米制程技术的全功能SRAM（静态随机存取内存）芯片。45纳米制程技术将被大规模应用于制造英特尔公司的下一代芯片。

这一重大成就说明英特尔正向着在2007年利用45纳米制程技术在300毫米晶圆上生产芯片这一目标快速迈进。同时，它还意味着英特尔将继续致力于推进摩尔定律的延伸，每两年推出新一代全新制程工艺技术。
目前，英特尔在大批量生产65纳米芯片方面居于行业领先地位，并已经拥有两家65纳米芯片制造工厂，分别位于美国亚利桑那州和俄勒冈州。2006年，英特尔在爱尔兰和美国俄勒冈州还将有两家新的65纳米芯片制造工厂全面投产。

45nm wafer photo #1: 包含英特尔45纳米测试芯片的英特尔300毫米晶圆

英特尔公司副总裁兼技术与制造事业部总经理Bill Holt谈到：“作为首家率先推出45纳米芯片成品并已经具有大规模65纳米芯片生产能力的公司，英特尔彰显了其在芯片技术和芯片制造方面的领先地位。英特尔长期以来一直致力于让大众在每次技术飞跃中切实受益。我们的45纳米技术为个人电脑实现更高的每瓦性能比奠定了基础，能够带来更好的用户体验。”

45nm wafer photo #2: 英特尔工程师展示包含英特尔45纳米测试芯片的英特尔300毫米晶圆

英特尔45纳米制程技术将提供比现有芯片低5倍的漏电率。这将显著延长移动设备的电池使用寿命，并推进体积更小但功能更强大的平台的构建。

45纳米SRAM芯片包含超过10亿个晶体管。虽然SRAM不作为英特尔产品，但在处理器和其它逻辑芯片采用45纳米制造工艺之前，SRAM证明了其出色的技术性能、制程良率（process yield）与芯片可靠性。这是朝着迈向大规模生产全球最复杂设备这一目标的关键的第一步。

45nm wafer photo #3: 包含英特尔45纳米测试芯片的英特尔300毫米晶圆

除了最初开展45纳米研发工作的、位于俄勒冈州的D1D工厂外，英特尔也同时宣布了其正在建设中的另外两个将具有大规模生产能力的45纳米芯片制造工厂，分别是位于亚利桑那州的32号工厂和以色列的28号工厂。

45nm SRAM Cell: 英特尔45纳米包含6个晶体管的静态随机存取内存单元