据外电报道，韩国三星电子周日宣布，已开始量产51纳米制造工艺的16GB储存容量的MLC（多层单元）NAND闪存芯片，用于数字音乐播放器、音乐手机和数码相机。
三星称，与目前的60纳米芯片相比，新的高密度闪存芯片数据处理速度大约提高了80%，60纳米芯片的数据读取速度为每秒17MB，书写速度为每秒4.4MB，而51纳米芯片的读取速度为每秒30MB，书写速度为每秒8MB。由于加快了读取和书写的速度，芯片效率提高了60%。
闪存的最大优点是在断电后仍然能够保存数据，它广泛使用在消费电子产品中，在全球竞争激烈的闪存市场，去年闪存芯片价格下降幅度超过了50%，三星开发的新产品将保持公司具有更高的竞争力。
三星计划融合一系列的闪存软件和固件到存储芯片，以适应音乐手机和MP3播放器的需求。为此它已经已经推出了整套产品，这是继去年八月份三星宣布生产60纳米技术、8GB储存容量闪存芯片后公司产品的又一升级。