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DRAM提前萎靡 短暂反弹成昙花一现

作者:  时间:2007-08-31 07:22  来源:中电网

DRAM提前萎靡,短暂反弹成昙花一现

iSuppli:DRAM市场9月料将放缓,较预期提早一个月低落。NAND情况待观望。

据国外媒体报道,市场研究机构iSuppli表示,动态随机存取记忆体(DRAM)晶片市场的短暂反弹已经结束,9月将再次向下反转,较原先预期提早一个月下滑.

DRAM晶片主要用于个人电脑(PC),上半年饱受供给过剩及价格剧跌的困扰,一些主要晶片的跌价幅度曾深达七成.在第二季结束前显露复苏迹象,并点燃了DRAM市场下半年普遍回春的希望,主要拜业者减产所赐.

iSuppli在周二的声明稿中指出,由于供应商和经销商持续消化大量的DRAM库存,供应链的不确定性很大,短期内市场情况仍处于变动状态.再者,DRAM现货市场的销售动能正在消退,因价格上涨,加上液晶面板的供应减少,影响到部份PC记忆体的可用预算.iSuppli警告,9月的价格疲弱情况,很可能会导致第四季进一步滑落.

在此同时,iSuppli预期NAND快闪记忆体(闪存)晶片价格将会在9月向下修正.

iSuppli指出,8月初三星电子遭逢电力供应中断的打击,而此一因素可能改变第四季的前景;三星电子的NAND快闪记忆体生产线受到电力供应中断的冲击,迫使三星挪出部分DRAM产能来生产NAND.尽管这类举措的效应尚不明显,iSuppli称年底前都必须观察此一因素的影响.由此看来,NAND情况还有待观望。

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