Mayberry指出，Intel已开展了数个项目，瞄准化合物半导体，看好其在未来十年内的应用。他表示，由于成本原因，制造150mm砷化镓基片几乎是不可能的，因此Intel关注于在300mm硅基片上制作化合物半导体器件。
他补充表示，化合物半导体和硅可以混合使用，实现互补，在硅表现良好的方面仍然保持硅的使用，而用化合物半导体替代一部分以实现更良好的性能。
Mayberry列举了目前Intel所面临的挑战，其中包括：寻找一种合适的高K介质；用化合物半导体制造PMOS器件，与性能等同的NMOS器件匹配实现化合物CMOS；制造增强性器件；实现尺寸缩小至前沿的硅集成水平。