三星首次开发0.6mm厚度8层芯片堆叠技术

三星电子在世界上首次开发了0.6mm厚度的8层芯片堆叠技术并将此技术应用在了32GB NAND FLASH芯片堆叠上。并计划将其应用于移动产品上。

存储卡市场展望

此堆叠芯片是将750um厚度的12英寸晶圆背面磨到15um厚，堆叠起来，形成高容量封装的。原有NAND FLASH堆叠封装是将芯片的晶圆加工到60um厚度，堆叠形成1mm的。目前，将芯片晶圆厚度加工到30um以下，会导致芯片强度减弱，堆叠间隔太窄而无法保证良率，此技术克服了这个问题。运用此次开发的技术，形成1mm厚度的NAND FLASH芯片堆叠，可以制造两倍以上的大容量产品。三星电子利用此技术，将提高占世界50%以上市场的移动存储复合芯片产品领域的竞争力。

三星电子 Test & Package中心 Tae-Gyeong Chung 常务说：“0.6mm 8层堆叠芯片对比目前大容量堆叠芯片市场主力产品，不仅在厚度，在重量方面减少一半，搭载大容量存储芯片也是移动市场最合适的解决方案。 三星电子提供了已被业界认为是瓶颈的 1.0mm以下的堆叠方案，将帮助移动机制造企业为消费者设计更多样的产品”。

另外，据半导体市场调查机构 ISupply报道，世界存储卡市场2GB 容量以上的产品数将从2009年的3.1亿个增长到2012年的7.7亿个。