首页 » 业界动态 » 中国南车成立海外半导体研发中心

中国南车成立海外半导体研发中心

作者:  时间:2010-05-20 09:53  来源:电子产品世界

  近日,中国南车在英国林肯丹尼克斯公司成立了半导体研发中心,并举行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片线开通仪式,为实现功率半导体器件世界第一的战略目标奠定了更加坚实的基础。

  中国南车200810月成功收购了丹尼克斯半导体公司,获得了战略性资源,与中国南车现有功率半导体产业形成优势互补。为寻求更大发展,南车确立了功率半导体器件世界第一的战略目标,于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融资,进一步加大对功率半导体产业的投资,着力提升六英寸IGBT芯片的生产能力;同时建立世界水平的功率半导体研发中心,不断开发世界领先的IGBT器件。

  近年,电力电子技术迅速发展,具有关断能力的功率半导体器件成为市场主流。IGBT已成为电机控制和功率变换器首选核心电子元器件,在轨道牵引系统中普遍应用,并成为节能技术和低碳经济的主要支撑。大功率IGBT产业适用于当前中国铁路和城轨交通、风电、电动汽车等产业的需求,是国家产业政策重点支持和扶植的科技项目。

  目前,中国铁路和城轨交通市场正面临空前的发展机遇,而且发展低碳经济已经成为全球的发展共识,功率半导体器件将获得前所未有的发展,新能源产品将受到市场的青睐,IGBT器件的市场需求巨大。

相关推荐

我国首条8英寸IGBT芯片生产线有望年底投产

IGBT  芯片  2013-12-18

大功率IGBT模块PCB抄板及芯片解密研究

IGBT  PCB  2013-09-25

英飞凌与富士就HybridPACK 2功率模块达成协议

英飞凌  富士电子  IGBT  HybridPACK  2012-05-30

IR推出可靠的超高速1200 V IGBT

IR  晶圆  IGBT  2011-09-06

绿色能源计划推动中国IGBT市场增长

IGBT  风力发电机  2011-08-15

Diodes 40V闸极驱动器减少IGBT开关损耗

Diodes  IGBT  2011-07-12
在线研讨会
焦点