美国国家半导体推出业界最快的12位模/数转换器
美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）（美国纽约证券交易所上市代码：NSM）宣布推出全球最快的12位模拟/数字转换器。这款型号为ADC12D1800的芯片能以3.6GSPS的速度进行采样，速度比最接近的竞争对手快3.6倍。此外，这款模拟/数字转换器的动态性能表现卓越，例如，本底噪声只有-147dBm/Hz，噪声/功率比（NPR）只有52dB，而互调失真（IMD）只有-61dBFS，能够支持新一代的软件无线电系统（SDR）架构及应用。
除了ADC12D1800芯片之外，美国国家半导体还推出了另外两款超高速模拟/数字转换器的新品：其中一款是采样率高达3.2GSPS的ADC12D1600；而另一款是采样率高达2.0GSPS的ADC12D1000。这三款PowerWise® 模拟/数字转换器的目标市场是宽带软件无线电系统，其中包括雷达系统、通信设备、多频道机顶盒、信号情报系统及激光测速系统等应用。
由于美国国家半导体ADC12D1x00系列模拟/数字转换器可以在较大的带宽范围内准确接收限定带宽的调制信号，因此可以支持全新的软件无线电系统架构。以军用雷达系统为例，传统的外差式双频段或三频段无线电系统只要采用一颗ADC12D1x00芯片搭配一颗数字下向变频器，便可省去多个混频器、滤波器、放大器及本地振荡器级。
至于新一代的多频道机顶盒，一颗ADC12D1x00芯片便可取代所有必需的调谐器，而且只要改用软件无线电系统架构，便可大幅削减电路板面积、系统功耗和成本，以及提高系统设计的灵活性。
由于新一代的软件无线电系统必须利用模拟/数字转换器进行宽带信号采样，因此若要衡量这类系统在宽频带内摘取窄频信号的能力，本底噪声、噪声/功率比和互调失真等全新的性能参数是最理想的衡量标准。这些指标不同于衡量模拟/数字转换器性能的传统标准。像信噪比(SNR)、无杂散信号动态范围(SFDR)及有效位数(ENOB)这些传统标准只关注于尼奎斯特带宽内的单调性能，因此不能反映系统整体的性能。
ADC12D1x00系列12位超高速模拟/数字转换器的特点
美国国家半导体的12位模拟/数字转换器采用散热能力更强的292球BGA封装，有含铅与不含铅两种可供选择，而且可与ADC10D1000与ADC10D1500两款模拟/数字转换器引脚兼容。12位的模拟/数字转换器只需采用一个1.9V的电源供应，内置的两条通道可以交替或独立操作。该系列芯片还具有多芯片同步、可编程增益、每通道的电压偏移都可独立调整等功能。此外，这些12位的模拟/数字转换器还内置跟踪和保持放大器以及校准范围更大的自我校准电路，因此即使输入频率超过2GHz，也可对所有动态参数作出非常平直的响应，而且误码率极低，只有10-18 。
ADC12D1800芯片的单通道采样速度高达3.6GSPS，双通道采样速度则高达1.8GSPS。此外，由于ADC12D1800芯片在本底噪声、噪声/功率比及互调失真等方面都表现极为卓越，因此若输入频率为125MHz，信噪比只有57.8dB，无杂散信号动态范围只有67dBc，而有效位数则为9.2。这款芯片采用高能源效率的设计，每通道功耗只有2.05W。
ADC12D1600芯片的单通道采样速度高达3.2GSPS，双通道的采样速度则高达1.6GSPS，本底噪声只有-147.5dBm/Hz，噪声/功率比只有52dB，而互调失真则只有-63dBFS。若输入频率为125MHz，ADC12D1600芯片的每通道功耗只有1.9W，信噪比只有58.6dB，无杂散信号动态范围只有68dBc，而有效位数则为9.3。
ADC12D1000芯片的单通道采样速度高达2.0GSPS，双通道的采样速度则高达1.0GSPS，本底噪声只有-147.5dBm/Hz，噪声/功率比只有52dB，而互调失真则只有-66dBFS。若输入频率为125MHz，ADC12D1000芯片的每通道功耗只有1.7W，信噪比只有59.1dB，无杂散信号动态范围只有70.5dBc，而有效位数则为9.5。
ADC12D1x00也将提供一种适用于太空级(space-qualified)的系列新品。新品采用376列的柱栅阵列(CCGA)封装，符合单项闭锁达120 MeV的辐射标准及总计100 Krads 硅游离辐射量。此系列与10位模拟/数字转换器ADC10D1000QML 引脚兼容。如欲进一步查询有关ADC10D1000QML资料，可浏览 www.national.com/pf/DC/ADC10D1000QML.html 网页。
美国国家半导体公司简介
美国国家半导体是一家居领导地位的模拟电源管理技术开发商，所生产的电源管理产品种类繁多，其中包括易于使用的集成电路、可提高系统能源效率的PowerWise产品以及可提高太阳能系统发电量的SolarMagic产品。该公司于去年5月庆祝创办五十周年。美国国家半导体总公司位于美国加州圣塔克拉拉 (Santa Clara)，2009年财年的营业额达14.6亿美元。有关美国国家半导体公司的其他资料，可浏览www.national.com 网页。