德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在
NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外,还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生成高达
CSD86350Q5D 功率模块的主要特性与优势:
· 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形仅为两个采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装的分立式 MOSFET 器件的 50%;
· 可在
· 与同类解决方案相比,无需增加功率损耗便可将频率提高 2 倍;
· 底部采用裸露接地焊盘的 SON 封装可简化布局。
供货与价格情况
采用
查阅有关 TI NexFET 功率 MOSFET 技术的更多详情:
· 如欲了解完整的 NexFET 产品系列,敬请访问:http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn;
· 通过 TI E2E™ 社区的 NexFET 论坛向同行工程师咨询问题,并帮助解决技术难题:www.ti.com/nexfetforum-pr;
· 搜索最新 MOSFET 图形参数选择工具:www.ti.com/mosfet-gps-pr;
· 查看针对 NexFET 技术专门优化的 DC-DC 控制器:TPS40303、TPS40304、TPS40305、TPS51217 以及 TPS51218。