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德州仪器推出高效率及功率密度的同步MOSFET半桥

作者:  时间:2010-06-09 15:06  来源:

德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥,其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合,可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。更多详情,敬请访问:www.ti.com.cn/powerblock-prcn

 

NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外,还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生成高达 40 A 的电流,可显著降低解决方案尺寸与成本。优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间,改善整体电路性能。此外,NexFET 功率模块还能够以低成本方式实现与 GaN 等其他半导体技术相当的性能。

 

CSD86350Q5D 功率模块的主要特性与优势:

·           5 毫米 x 6 毫米 SON 外形仅为两个采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装的分立式 MOSFET 器件的 50%

·           可在 25 A 的工作电流下实现超过 90% 的电源效率,与同类竞争器件相比,效率高 2%,功率损耗低 20 %

·           与同类解决方案相比,无需增加功率损耗便可将频率提高 2 倍;

·           底部采用裸露接地焊盘的 SON 封装可简化布局。

           

供货与价格情况

采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封装的 NexFET 功率模块器件现已开始批量供货,可通过 TI 及其授权分销商进行订购。此外,样片与评估板也已同步开始提供。

 

查阅有关 TI NexFET 功率 MOSFET 技术的更多详情:

·           如欲了解完整的 NexFET 产品系列,敬请访问:http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn

·           通过 TI E2E™ 社区的 NexFET 论坛向同行工程师咨询问题,并帮助解决技术难题:www.ti.com/nexfetforum-pr

·           搜索最新 MOSFET 图形参数选择工具:www.ti.com/mosfet-gps-pr

·           查看针对 NexFET 技术专门优化的 DC-DC 控制器:TPS40303TPS40304TPS40305TPS51217 以及 TPS51218

 

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