未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的C J Muse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段，在4x，3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有)，是黄金时刻，然后在芯片制造中其它的工艺技术的挑战也有很多，如两次图形曝光(在NAND，DRAM及logic中)，高k金属栅等。由此，在未来的2011-2012年，甚至更长一段时期内必须要加大投资强度。(Citigroup的Tim Arcuri建议要有五年时间，它是在牛/熊市小组座谈会上发表此看法) 。另一位会议发言者Credit Suisse的Satya Kumar补充认为，目前正处于由技术投资向fab产能投资过渡，它指出，器件的尺寸缩小已达3xnm及以下。Muse也同意此观点认为产能扩充仅仅开始。
尽管EUV技术已逐渐映入人们的眼球中，然而另外一些光刻动向正引起业界关注。如KrF光刻机，近期它的突然订单加多，表示新的产能扩充时代真的到来又一标志。2010年TSMC有30台订单，Samsung有15台及intel有10台。它们的供应商ASML，Nikon正努力设法完成供货计划，Muse在报告中称全球在2010年需要60台。另外，据应用材料公司(AMAT) 的报告，全球从现在起有14个新建fab，将增加产能，DRAM>200K/WSPM;NAND> 320K/WSPM;Logic/foundry >350K/WSPM。
对于任何一家公司在先进技术制造与开发方面都有极大的挑战，这一点是无疑的。所以GlobalFoundries的高级副总裁Gregg Bartlett在它的发言中，重申如IBM的公共平台合作方式对于目前是十分必要的。即便Intel的Andy Bryant在它的讲话中也发起在IDM，学校与供应商之间加强合作的呼声。
合作不仅是器件制造商之间的事，Global Foundries的Tom Sonderman建议合作模式中还必须包括设备制造商，如自动化、plug-in集成、及标准化的方法等。
EUV光刻到了哪里?
正如Credit Suisse的Kumar所言，对于每一位带SEMICON标牌的人，已不怀疑EUV会到来。但是也有担心，如掩模检查(尤其是图形尺寸在波长端的检查) 及光源功率，ASML可能己给Gigaphoton下了订单。另外，巴克莱的Muse认为在2010年下半年它的EUV3300设备的订单己多达10台以上。
有关EUV的消息不是来自供应商，而是來自客户。在7月14日的会上Global foundries的Bartlett 透露它的公司将放弃EUV设备的试产过程，而尽快在它的纽约州Malta 正在建设的Fab 8中进入量产实验，估计为2012的下半年，而真正达到很大量产可能在2015年。关于如浸入式及两次图形曝光技术可能用在2x节点应用。它并说EUV可能被用在下一代，16nm中。己经有60种以上在Dresden掩模车间生产的EUV掩模准备待用。
当Ken Rygler在询问华尔街分析师时，不管EUV未来可能在1xnm时准备好，或者根本就上不去，在牛市还是熊市的座谈会上EUV开始逐渐热了起来。巴克莱的CJ Muse表示，EUV的推迟可能是件好事，因为如检测及光源功率等尚未到位，以及也可能有利于付蚀及工艺控制等进一步提高。然而Rygler对此摇头，它表示目前还没有一家说中间掩模(reticle)的检查设备已准备好，这是人所共知的，CJ Muse之后也告诉了SST。但是它认为EUV设备早晚会成功，尤其在DRAM制造中对于某些关键层的光刻应用是有非常迫切的需求。