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联电通过资本支出18.19亿美元

作者:  时间:2010-08-27 09:39  来源:电子产品世界

  联电日前调高资本支出,25日董事会正式通过2010年资本支出追加计画,2010年总预算调高至18.19亿美元,主要用以扩充12寸与8寸厂产能。

  联电原订2010年资本支出为12亿~15亿美元,执行长孙世伟在8月初法人说明会中即宣布,将资本支出调高至18亿美元。

  孙世伟日前指出,2010年资本支出将有高达87%用以扩充12寸厂产能,13%资金用以扩充8寸厂产能。目前机台采购与装置进度顺利,新加坡 Fab12i厂大幅建置65/55奈米产能以服务客户,在台南科学园区 Fab12A厂的第3期无尘室已于7月提前竣工并全力进行机台移入,预计在年底前开始产出,2011年将可加速贡献 40奈米营收。

  台积电日前宣布将2010年资本支出由原订的48亿美元,调升到59亿美元,其中58亿美元用于投资晶圆厂,而当中的79%用来扩充65奈米、40奈米及28奈米制程,13%用来投资超越摩尔定律(More-than-Moore)的新制程技术,另外8%用于研发;另外1亿美元将用来投资新事业。

  台积电在日前董事会也通过资本支出案,会中核准投入19.72亿美元,扩充12寸厂先进制程产能。台积电目前有晶圆12(Fab12)与南科晶圆14 (Fab14)2座超大型晶圆厂,合计月产能产能已超过20万片约当12寸晶圆,预计年底将扩充至24万片。另外也通过以3.19亿美元预算,投入 LED及薄膜太阳能模块新事业发展;另外也通过投入19.72亿美元扩充12寸厂产能。

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