ARM和中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)日前宣布双方将在中芯65纳米和40纳米低漏电工艺节点上合作开发先进的ARM物理IP库平台。该协议将免费提供ARM的DesignStart 在线IP访问入口供双方客户使用，可下载9轨和12轨multi-Vt 逻辑库套件，电源管理包，ECO 包和ARM优化的高密度存储编译器。该协议扩展了双方长期合作关系，以提供双方客户得以用于180纳米，130纳米，110纳米和90纳米的工艺技术上具高度差异化的IP。
通过ARM先进的的物理IP，中芯国际可提供一个经客户广泛验证的ARM物理IP库配套的设计平台。这些IP库已用于全球数以千计的SoC设计，专门用于对精确性、性能、功耗和面积上有需求的低功耗、高密度的移动和便携式SoC产品。
“作为物理IP的领先供应商，ARM非常高兴与中芯国际的协作，这使我们的技术能够被更广泛地采用”，ARM公司执行副总裁和物理IP部门总经理 Simon Segars 表示，“随着业界领先的ARM物理IP全面产品组合，我们共同的客户将能够免费获取一个低成本的，专为低功耗、高密度的移动和便携式SoC提供的完整IP解决方案。”
“中芯国际一直以来致力于提供卓越的技术来支持我们的SoC客户”，中芯国际资深副总裁兼首席商务长季克非表示，“通过扩大与ARM的合作关系，使用业界领先的ARM物理IP，我们为客户提供了一个能够轻松地移植到65纳米和40纳米的工艺平台，极大的缩短客户达到量产的时间。”
全套的物理IP套件将可在ARM公司的 DesignStart? 在线IP访问入口免费下载。65纳米库将于2010年十月 XX 日提供，40纳米库则将在2011年第一季度提供。