台系DRAM厂力晶宣布2011年的资本支出为新台币160亿元，较2010年的资本支出200亿元减少约20%;此外，之前被主管机关退件的上限8亿股的海外存托凭证(GDR)申请案也将重新启动;再者，力晶亦宣布将出售部分机台设备给设备商，再用「售后租回」方式使用，以达活用资产的目的。
力晶日前决定再度启动募资计划，以筹措资金购买浸润式曝光机台(Immersion Scanner)机器设备，转进45纳米制程技术，之前提出发行上限8亿股GDR遭到主管机关退件，力晶召开董事会决定重新提出申请，额度同样维持上限8亿股。
力晶也宣布，将部分晶圆厂的机台设备卖给设备商，再用「售后租回」的方式，以达到资产活用的目标，增加手上的现金水位。
在2011年的资本支出方面，力晶宣布将较2010年的资本支出200亿元减少20%左右，约160亿元，主要用于将旗下12寸晶圆厂转进45纳米制程技术。
力晶自结第3季财报出炉，在不加计转投资瑞晶的财报中，单季营收为250.24亿元，毛利率17.35%，营业净利率12.89%，税前获利22.91亿元、税后获利19.36亿元，换算每股税后0.34元。
以前3季获利来看，力晶累计税后获利达122.39亿元，换算前3季每股获利为2.22元。
在12寸晶圆厂方面，目前单月产能为13万片，分为标准型存储器和代工2大业务，标准型存储器生产占8万片产能，代工产能占5万片，随著DRAM报价下滑，力晶会逐渐增加代工比重。