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IR推出高功率、高速度、高密度的分立解决方案

作者:  时间:2010-11-15 14:56  来源:电子产品世界

  全球功率半导体和管理方案领导厂商 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出适用于DC-DC节能汽车应用的 AUIRS2191S 600V 驱动 IC AUIRGP50B60PD1 600V 非穿通型 (NPT) 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)

  新器件具有非常快的开关速度和高功率密度,非常适合高频 DC-DC 应用,包括用于电动汽车和混合动力电动汽车的高功率 DC-DC 开关电源 (SMPS) 转换器。

  AUIRS2191S 双通道 600V 驱动 IC 可使半桥式拓扑结构中的高侧和低侧实现独立控制。该器件可提供高达3.5 A/-3.5A (/) 的电流能力,具有非常快的传播延迟时间 (典型值达到 90ns) ,使开关可以高度响应驱动器指令。该集成电路的高侧和低侧具有独立控制功能,并可定制死区时间以实现最低功耗,两个通道还可匹配传播延迟。该产品还提供高达 150°C 的工作结温和双通道欠压锁定功能,从 COM 电源接地引脚中分离出来的逻辑接地偏移引脚 Vss 对于 COM 瞬态电压变化具有更高的免疫力。

  AUIRS2191S IC采用专有的高压集成电路 (HVIC) 和闭锁免疫CMOS技术,可提供坚固耐用的单片式结构。输出驱动器具有适用于最低驱动跨导的高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用来驱动高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET IGBT,工作电压最高可达600V。此外,这些器件具有基准负电压尖峰免疫力,即使在极端开关条件和短路情况下也能实现可靠运行。

  AUIRGP50B60PD1 600V 非穿通型绝缘栅双极晶体管与 25A 超快软恢复二极管共同封装,开关速度高达150kHz,使其成为高功率SMPS应用中MOSFET的理想替代产品。这款新型车用IGBT器件利用IR的薄晶圆制造技术,有助于缩短少数载流子的消耗时间,加快关断速度。

  该器件的关断拖尾电流极小,关断开关损耗很低,有助于设计人员提高电路的工作频率。该产品具备更完善的开关性能,配合经优化的正温度系数特性和更低的栅极导通电荷,有效提升了电流密度。在并行模式下,正温度系数能发挥安全、可靠、高效的电流共享性能。

  IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR 一直致力于提供领先的汽车专用解决方案,这些新器件有效地满足了 DC-DC 汽车应用对高速和高压的需求。”

  新器件符合 AEC- Q10x 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)

产品规格

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