首页 » 业界动态 » 恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET

恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET

作者:  时间:2010-12-13 14:44  来源:电子产品世界

  恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.今天发布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET,拥有业界最低RDSon4.5V时仅为1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC,专门针对4.5V开关应用优化,采用LFPAK封装技术,是目前业界最牢固的Power-SO8封装。NextPower技术已专门针对高性能DC-DC转换应用进行了优化,例如隔离电源和电源OR-ing中的同步降压调节器、同步整流器。

  技术要点:

  • 特性和优势:

  针对4.5V栅极驱动的低RDSon而专门优化的先进NextPower技术

  Power-SO8封装确保高可靠性,温度最高可达175˚C

  o 超低QGQGDQOSS确保了高系统效率

  • PSMN1R0-30YLC现已开始供货。

  • PSMN1R0-30YLC25V30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款产品,全系列产品将在未来几个月中陆续推出。

  积极评论:

  • 恩智浦半导体Power MOSFET营销经理Charles Limonard表示:“恩智浦NextPower系列MOSFET将帮助设计者实现高性能(高效率)、小尺寸和低成本。恩智浦致力于开发和创新,并不断改善导通电阻RDSon、开关速度和热效率等关键参数,从而推出具有业界领先水平的MOSFET器件。”

  • Limonard还表示,“PSMN1R0-30YLC具有领先于同类器件的超低RDSon,可显著降低功耗;这反过来能提高新一代电子产品的能效,使能效等级更高,尺寸更小”。

相关推荐

继2012年表现黯淡之后,中国功率MOSFET市场将恢复生机

消费电子  MOSFET  2013-04-18

高压MOS缺货 晶片商抢推高整合LED驱动器

恩智浦  LED  MOSFET  2012-12-04

恩智浦荣获EEPW 2011年度电源技术及产品奖

恩智浦  电源  TEA1716  2012-05-28

Vishay荣获2012中国年度电子成就奖

Vishay  MOSFET  转换器  2012-04-27

富昌荣膺“2011年度恩智浦半导体杰出设计”奖

富昌  恩智浦  半导体  2012-04-26

恩智浦为智能移动设备打造移动票务功能

恩智浦  嵌入式  Java  2012-04-25
在线研讨会
焦点