台北整合元件厂(IDM)积极布局大陆市场，为降低成本就近生产，部分IDM选择直接释单给大陆当地晶圆厂，由于台厂在大陆仅放行到0.13微米制程，因此，不少奈米级制程订单转到大陆晶圆厂中芯国际，让近期中芯来自于IDM订单大增，未来恐影响台积电与联电在大陆竞争力。
半导体业者指出，过去IDM在大陆投资设厂主要以封测为主，由于投资晶圆厂风险太大，随著大陆内需市场扩大，IDM希望能抢食这块大饼，因而积极与大陆当地晶圆代工厂合作，近期中芯便接获许多IDM转单，由于目前台积电上海松江厂与联电转投资和舰受限于政府规范，仅有0.13微米以上成熟制程，让许多90及65奈米制程订单转向中芯。
尽管IDM或中芯对此都相当低调，但大陆半导体业者表示，中芯在2010年总算终结亏损命运，营运出现起色，并开始量产65奈米制程，目前已有15个设计定案(tape-out)，其中一半是大陆客户，中芯预计2011年下半量产45/40奈米制程，加速拉近与台积电、联电的竞争距离。对于中芯来说，三星电子(SamsungElectronics)并非可畏的对手，其目标在于抢下全球第2宝座。
半导体业者指出，中芯于2011年启动为期5年的「三级跳」计画，将大幅扩充!12吋晶圆产能，预计于2015年12吋年产能将达200万片，届时年营收将达50亿美元。根据计画，中芯第1=跳跃在2011年，将扩充北京一厂65/55奈米产能;第2个跳跃在2011~2012年，快速扩充上海厂45/40奈米产能;第3个跳跃则是在2013~2014年，量产32奈米高介电质金属闸(HKMG)制程，届时中芯制程技术将提升到32/28奈米。
此外，为同步服务IC设计商，中芯亦加大矽智财(IP)投资力道，2010年中芯在IP方面投资金额，便超越过去3年的总和。半导体业者认为，以该计画来看，显见中芯执行长王宁国极具雄心，待中芯奈米级制程更加成熟，除大陆本土IC设计客户，IDM厂亦将扩大投片中芯，对台积电与联电在大陆布局造成威胁。不过，大陆政府是否愿意长期资金奥援，让中芯能完成5年大计，后续仍需观察。