2010年闪存芯片的制造工艺普遍都是30nm级别,2011年则将成为20nm级别普及的开端,同时10nm级别工艺的投资和研发也即将陆续开始。
SanDisk近日就表示:“2011年我们的首要营业费用投资就是研发,包括Fab 5晶圆厂上线投产,以及(10nm级别)和更先进NAND闪存制造工艺的技术投资。”
SanDisk指出,得益于移动设备的全球浪潮,闪存的市场需求正在迅猛增加,因此SanDisk将与东芝合作,加速2bpc(每单元两个比特)、3bpc等规格MLC NAND闪存芯片的生产。
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