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　　在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技术研讨会上，产业组织SOI Conso...

ST FD-SOI 10nm 2012-12-17

　　12月13日，意法半导体宣布其在28纳米 FD-SOI 技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程...

ST 晶圆 FD-SOI 2012-12-16

　　华润微电子有限公司(“华润微电子”)附属公司华润上华科技有限公司(“华润上华”)近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，日前更高性...

华润微电子半导体 SOI 2012-11-07

中国上海，2009年10月12日——ARM公司（伦敦证交所：ARM；纳斯达克：ARMH）近日在于加州福斯特市举行的IEEE SOI大会上...

ARM SOI 处理器 2009-10-13

IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。 IBM表示，使用SOI技术可使芯...

IBM SOI 嵌入式DRAM 2009-09-23

19位业界成员共组SOI策略联盟，将致力于IP、设计环境营造，EDA业者也投入。据台湾媒体报道，半导体业者第1个绝缘层上覆矽(Silicon-On Insu...

半导体 SOI 晶圆代工 2007-10-18

摘要: 分析了高灵敏度光电位置传感器(PSD)的设计和工艺制作过程,给出了器件制作工艺流程。对制作的器件进行了参数测试,测试结果为:响应波长为600～1200n...

光电位置传感器电极灵敏度位置分辨率工艺线性度 SOI 2006-11-25

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